{"id":6239,"date":"2026-04-02T08:05:10","date_gmt":"2026-04-02T08:05:10","guid":{"rendered":"https:\/\/wiresawcutter.com\/?p=6239"},"modified":"2026-04-02T08:25:52","modified_gmt":"2026-04-02T08:25:52","slug":"semiconductor-multi-wire-saw","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/semiconductor-multi-wire-saw\/","title":{"rendered":"Halbleiter-Mehrdraht-S\u00e4ge: Funktionsprinzip, Spezifikationen und Auswahlhandbuch"},"content":{"rendered":"<p><strong>Wie Halbleiter-Mehrdraht-S\u00e4gen-Schneidewafer: Prinzip, Spezifikationen und Kaufhandbuch<\/strong><\/p>\n<div class=\"seo-blog-content\" style=\"padding: 32px 0;\">\n<p><!-- Quick Specs Card --><\/p>\n<div style=\"border-top: 3px solid #2d2d2d; background: #f5f5f5; padding: 24px 28px; margin: 0 0 40px;\">\n<p style=\"margin: 0 0 12px;\"><strong>Schnellspezifikationen, Halbleiter-Mehrdraht-S\u00e4ge<\/strong><\/p>\n<table style=\"width: 100%; border-collapse: collapse; margin: 0;\">\n<tbody>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Drahtanzahl<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">500 \u2013 2.000 parallele Dr\u00e4hte pro Lauf<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Drahtgeschwindigkeit<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">10 25 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Wafer-ausgabe<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">300+ Scheiben pro Einzelschnittzyklus<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Kerf-verlust<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">150 \u00b5m (Standard-Diamantdraht)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>TTV<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">&lt;10 \u00b5m Standard, &lt;5 \u00b5m erreichbar<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px;\"><strong>Materialien<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px;\">Si, SiC, Saphir, GaAs, GaN, Quarz, Keramik, Graphit<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<p><!-- H2-1 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Was ist eine Halbleiter-Mehrdraht-S\u00e4ge und wie funktioniert sie?<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6243\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/What-Is-a-Semiconductor-Multi-Wire-Saw-and-How-Does-It-Work.png\" alt=\"Was ist eine Halbleiter-Mehrdraht-S\u00e4ge und wie funktioniert sie\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\"><\/p>\n<p>Eine Halbleiter-Mehrdrahts\u00e4ge ist eine Pr\u00e4zisionsmaschine, die an Hunderten paralleler d\u00fcnner Dr\u00e4hte arbeitet, die \u00fcber einen Satz gerillter F\u00fchrungsrollen gespannt sind, um gleichzeitig einen einzelnen Barren in eine Vielzahl von Wafern zu schneiden. Eine Mehrdrahts\u00e4ge unterscheidet sich von einer Eindrahts\u00e4ge, die eine Wafers\u00e4ge 1 Wafer produziert. Eine Mehrdrahts\u00e4ge kann zwischen 500-2000 Drahtspannweiten in einer einzelnen Drahtbahn enthalten und pro Zyklus 300 oder mehr Scheiben erzeugen.<\/p>\n<p>Die Funktionsweise einer Mehrdrahts\u00e4ge ist einfach. Ein durchgehender Draht (mit Schleifaufschl\u00e4mmung beschichteter oder blanker Draht) wird um eine oder mehrere Drahtf\u00fchrungsrollen geschlungen und bildet ein paralleles \u201cNetz\u201daus S\u00e4gedr\u00e4hten \u00fcber das Werkst\u00fcck. Der Barren wird von einem Zuf\u00fchrtisch auf die Drahtbahn gehalten, wobei ein Epoxidkleber verwendet wird, um ihn sicher zu montieren. Die Zufuhrrate wird gesteuert, und wenn die Drahtbahn mit Geschwindigkeiten zwischen 10-25 Metern pro Sekunde voranschreitet, verschlei\u00dft sich der Draht abrasiv durch das Werkst\u00fcck, um Wafer mit gleichm\u00e4\u00dfigen Eigenschaften und wenig verschwendetes Material herzustellen.<\/p>\n<p>F\u00fcnf Kernkomponenten definieren die Maschinenarchitektur:<\/p>\n<ul>\n<li>Drahtf\u00fchrungsrollen \u2013 die Pr\u00e4zisions-Erdungszylinder mit Mikrorillen, die die Drahtneigung steuern (Genauigkeit \u00b12 \u00b5m)<\/li>\n<li>Drahtbahn \u2013 die Anordnung paralleler Schneiddr\u00e4hte und korrekt gespannter Dr\u00e4hte darin<\/li>\n<li>Vorschubtisch \u2013 der Tisch, der das Werkst\u00fcck h\u00e4lt und Vorschubraten von nur 0,2 mm pro Minute (Silizium) aufweist<\/li>\n<li>K\u00fchlmittelsystem \u2013 Zufuhr temperaturgesteuerter Fl\u00fcssigkeit in die Schnittzone, Abwaschen von Schmutz und Entfernen thermischer Belastung<\/li>\n<li>Spannungskontrolleinheit \u2013 Gew\u00e4hrleistung einer gleichm\u00e4\u00dfigen Spannung \u00fcber alle Drahtspannweiten, um Durchh\u00e4ngen oder Bruch zu vermeiden<\/li>\n<\/ul>\n<p>Diese Parallelschneidetechnik ist das gemeinsame Prinzip aller Keilschneidetechnologien; Diese Eigenschaft macht das Mehrdrahtdrahts\u00e4gen zum anerkannten Industriestandard sowohl in der Halbleiterfertigung als auch in der Solarzellenproduktion.<\/p>\n<p><!-- H2-2 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Diamantdraht vs. G\u00fclle: Zwei Schneidmethoden im Vergleich<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6245\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared.png\" alt=\"Diamantdraht vs. G\u00fclle Zwei Schneidmethoden im Vergleich\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<p>F\u00fcr die Halbleiterherstellung verwenden Eindrahts\u00e4gen zwischen 4- und 6 Stunden, um einen 200-mm-Barren zu schneiden, der einen Wafer erzeugt. Eine Mehrdrahts\u00e4ge f\u00fchrt diesen gesamten Zyklus gleichzeitig durch, um Hunderte von Scheiben im gleichen Zeitraum zu produzieren.<\/p>\n<table style=\"width: 100%; border-collapse: collapse; margin: 24px 0;\">\n<thead>\n<tr style=\"background: #2d2d2d; color: #fff;\">\n<th style=\"padding: 12px 14px; text-align: left; border: 1px solid #2d2d2d;\">Parameter<\/th>\n<th style=\"padding: 12px 14px; text-align: left; border: 1px solid #2d2d2d;\">Schlammdrahts\u00e4ge<\/th>\n<th style=\"padding: 12px 14px; text-align: left; border: 1px solid #2d2d2d;\">Diamantdrahts\u00e4ge<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr style=\"background: #ffffff;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Kerf-verlust<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">160 200 \u00b5m<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">120 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #f5f5f5;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Schnittgeschwindigkeit<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">300 \u2013400 Wafer\/Stunde<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">700 1.000 Wafer\/Std<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #ffffff;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Drahtdurchmesser<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">100 \u00b5m (blasser Draht)<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">60 \u00b5m Kern + Diamantbeschichtung<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #f5f5f5;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Oberfl\u00e4chenbeschaffenheit (Ra)<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Glatter (&lt;0,3 \u00b5m typisch)<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Etwas rauer (0,3 \u00b5m)<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #ffffff;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Umweltauswirkungen<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">SiC-Schlammabf\u00e4lle (gef\u00e4hrliche Entsorgung)<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">K\u00fchlmittel auf Wasserbasis (recycelbar)<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #f5f5f5;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Am besten f\u00fcr<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">GaAs, InP, Glasoptik<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Si, SiC, Saphir<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>Es gibt zwei Hauptmethoden zum Waferschneiden mit einem einzigen Draht oder einer gr\u00f6\u00dferen Anzahl d\u00fcnnerer Dr\u00e4hte: Diamantdrahts\u00e4gen, DWS- und Schlammdrahts\u00e4gen, SWS. Die folgende Tabelle ist ein Vergleich der beiden auf der Grundlage realer Produktionsdaten.<\/p>\n<p>DWS gilt heute als die f\u00fchrende Technologie f\u00fcr die Herstellung von Silizium- und Siliziumkarbidwafern. In dem in Procedia Manufacturing ver\u00f6ffentlichten Artikel wurde gezeigt, dass DWS eine nachhaltigere Alternative zum Schneiden auf Schlammbasis bietet, da es zu deutlich weniger Materialverschwendung und einer minimierten Umweltbelastung f\u00fchrt. Im Vergleich zum Schneiden auf Schlammbasis k\u00f6nnen die h\u00f6here Produktivit\u00e4t (2-3-fach schneller Durchsatz) und der geringere Schnittfugenverlust direkt dazu f\u00fchren, dass aus dem Wert jedes Barrens wertvoller Halbleiterrohstoffe weitaus mehr Wafer gewonnen werden. Dies muss ein lukrativer Vorteil sein.<\/p>\n<p><!-- Advantages\/Limitations Dual Card --><\/p>\n<div style=\"display: flex; gap: 20px; margin: 24px 0; flex-wrap: wrap;\">\n<div style=\"flex: 1; min-width: 260px; background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; border-top: 3px solid #2d2d2d;\">\n<p style=\"margin: 0 0 10px;\"><strong>Vorteile von ages Diamond Wire<\/strong><\/p>\n<ul style=\"margin: 0; padding-left: 20px;\">\n<li>2 \u20133 ist eine h\u00f6here Produktivit\u00e4t als G\u00fclle<\/li>\n<li>Geringerer Schnittfehlverlust = mehr Wafer pro Barren<\/li>\n<li>K\u00fchlmittel auf Wasserbasis (keine gef\u00e4hrlichen Schlammabf\u00e4lle)<\/li>\n<li>Erforderlich f\u00fcr harte Materialien: SiC, Saphir<\/li>\n<li>Kompatibel mit d\u00fcnnerem Draht f\u00fcr Materialeinsparungen<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<div style=\"flex: 1; min-width: 260px; background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; border-top: 3px solid #2d2d2d;\">\n<p style=\"margin: 0 0 10px;\"><strong>Diamantdrahtbeschr\u00e4nkungen<\/strong><\/p>\n<ul style=\"margin: 0; padding-left: 20px;\">\n<li>H\u00f6here Drahtkosten pro Meter im Vergleich zu blankem Stahldraht<\/li>\n<li>Eine aufrautere Oberfl\u00e4che erfordert m\u00f6glicherweise zus\u00e4tzliches L\u00e4ppen<\/li>\n<li>Nicht ideal f\u00fcr weiche III-V-Verbindungen (GaAs, InP)<\/li>\n<li>Das Risiko eines Drahtbruchs steigt mit der SiC-H\u00e4rte<\/li>\n<li>Der Diamantschleif erfordert eine \u00dcberwachung (DWMS empfohlen)<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<\/div>\n<p>Das Schneiden auf Schlammbasis bleibt die vorherrschende Methode f\u00fcr Komponentenhalbleiter. GaAs und InP sind weicher und zerbrechlicher als Silizium, und die frei abrasive Wirkung der Aufschl\u00e4mmung f\u00fchrt zu weniger Sch\u00e4den unter der Oberfl\u00e4che dieser Materialien. F\u00fcr optische Glasanwendungen liefert die Aufschl\u00e4mmung auch die glattere Oberfl\u00e4chenbeschaffenheit, die zur Reduzierung der Polierschritte nach dem Schneiden erforderlich ist.<\/p>\n<p><!-- H2-3 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Wichtige Spezifikationen, die sich auf die Waferqualit\u00e4t auswirken<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6246\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Key-Specifications-That-Affect-Wafer-Quality.png\" alt=\"Wichtige Spezifikationen, die sich auf die Waferqualit\u00e4t auswirken\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\"><\/p>\n<p>DONGHE bietet <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">Mehrdrahts\u00e4geausr\u00fcstung<\/a> Unterst\u00fctzung beider Anwendungen, G\u00fclle und Diamantdraht.<\/p>\n<p><!-- Engineering Note --><\/p>\n<div style=\"border-left: 3px solid #2d2d2d; background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; margin: 24px 0;\">\n<p style=\"margin: 0 0 12px;\"><strong>Technische Hinweise, kritische Wafer-Spezifikationen<\/strong><\/p>\n<ul style=\"margin: 0; padding-left: 20px;\">\n<li>Total Thickness Variation (TTV): &lt;10 m ist das Standardziel der Produktion Tridirektionaler hochpr\u00e4ziser Mehrdraht erreicht &lt;5 m (ann\u00e4hert sich der Draht-EDM-Benchmark-Spezifikation) F\u00fchrungsrollenqualit\u00e4t und Drahtspannungsausgleich werden vor allem TTV steuern.<\/li>\n<li>Bogen und Kette: 30 m in typisch f\u00fcr 150250 mm Wafer \u00dcberm\u00e4\u00dfiger Bogen wird oft durch ein Ungleichgewicht der thermischen Belastung w\u00e4hrend des Schneidens, oder Restspannung nach hoher Vorschubrate resultieren.<\/li>\n<li>Kerf-Verlust: 150250 m verbunden mit \u00fcblichem Diamantdraht Das experimentelle 50 m d\u00fcnne Draht basierende Mehrdrahtsystem hat einen Schnittfehlverlust von 100 m gezeigt Es wurde jedoch nicht kommerzialisiert.<\/li>\n<li>Unterirdische Sch\u00e4den (SSD): Ungef\u00e4hr 1-30 m je nach Material, Drahtspr\u00f6dung und Vorschubgeschwindigkeit Nach den von der <a href=\"https:\/\/pmc.ncbi.nlm.nih.gov\/articles\/PMC10456952\/\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">PMC\/NIH<\/a> und <a href=\"https:\/\/link.springer.com\/article\/10.1007\/s10854-025-16034-w\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">Springer<\/a>, In \u201eDraht-S\u00e4gen stellt sich heraus, dass eine kleine Menge SSD unkontrollierbar ist. Sie kann nur minimiert und vollst\u00e4ndig entfernt werden, indem die Schneidparameter nach dem L\u00e4ppen und Polieren prozessgesteuert gesteuert werden.<\/li>\n<li>Oberfl\u00e4chenrauheit (Ra): Es ist m\u00f6glich, vor dem L\u00e4ppen unter 0,5 m zu reduzieren Diamantdrahtrauigkeitswerte liegen bei etwa 0,3-0,5 m. Aufschl\u00e4mmungsdrahtrauheitswerte wurden zwischen 0,2 m und 0,3 m beobachtet.<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<p>Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Drahtspannung (\u00fcber die gesamte Drahtbahn hinaus) ist der wichtigste Einzelfaktor, der die Waferqualit\u00e4t beeinflusst Mit Hilfe der Drahtkraftmessung in einem Spannungskontrollsystem mit geschlossenem Regelkreis sollte die Spannung entlang der gesamten Drahtbahn gemessen und eine Regulierung mit der Drahtdehnung und thermischen Ver\u00e4nderungen durchgef\u00fchrt werden, andernfalls kann die Dickenschwankung zwischen Enden der Drahtbahn normalerweise \u00fcber 20 m betragen (was weit au\u00dferhalb der SEMI M1 Spezifikation in der Kategorie polierter Siliziumwafer liegt).<\/p>\n<p>Bei der Auswahl einer Diamantdrahts\u00e4ge zum Aufschneiden von Halbleitern ist zu pr\u00fcfen, ob die Maschine \u00fcber ein Spannungsregelsystem mit geschlossenem Regelkreis, ein K\u00fchlmittel, das auf 0,5 C genau gesteuert wird, und F\u00fchrungsrollen mit einer Nickgenauigkeit von weniger als 2 m verf\u00fcgt.<\/p>\n<p><!-- H2-4 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Materialien, die eine Mehrdrahts\u00e4ge verarbeiten kann<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6247\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Materials-a-Multi-Wire-Saw-Can-Process.png\" alt=\"Materialien, die eine Mehrdrahts\u00e4ge verarbeiten kann\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\"><\/p>\n<p>Mehrdrahts\u00e4gen sind vielseitige Ger\u00e4te, die zum Schneiden vieler der h\u00e4rtesten und am schwierigsten zu bearbeitenden Gegenst\u00e4nde in der Maschinenbau-, Elektronik-, Photovoltaikverarbeitungs- und Hochleistungskeramikindustrie entwickelt wurden. Die unten aufgef\u00fchrten Gegenst\u00e4nde sind die wichtigsten Anwendungsmodule und Materialien.<\/p>\n<ul>\n<li>Silizium (mono - und polykristallines) Silizium ist die Basis von Solarzellen und Halbleiterwafern, sowohl Mono - als auch Poly-Silizium-Barren sind standardm\u00e4\u00dfig spezifiziert.<\/li>\n<li>Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter und Elektrofahrzeugwechselrichter Die extrem harte Natur von SiC (Mohs 9,5) stellt Diamantdraht als einzig geeigneten Schneiddraht fest Die Marktanalysten prognostizieren, dass die Nachfrage nach SiC-Wafern von 1,69 Milliarden US-Dollar im Jahr 2025 auf 6,4 Milliarden US-Dollar im Jahr 2032 mit einer CAGR von 21,31TP3 T wachsen wird.<\/li>\n<li>Saphir-Substrate &amp; optische Fenster Diamantdraht im Schleifmittel erforderlich aufgrund Mohs 9.<\/li>\n<li>Galliumnitrid (GaN) HF-Ger\u00e4te Leistungselektronik und Verbindungshalbleiter.<\/li>\n<li>Optische und Telekommunikations\u00fcbertragungen von Galliumarsenid (GaAs). Normalerweise mit G\u00fclledraht geschnitten, um Oberfl\u00e4chensch\u00e4den zu reduzieren.<\/li>\n<li>Quarz \u2013 optische Komponenten und Resonatoren.<\/li>\n<li>Technische Keramik Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Piezo-Keramik, Industrie, Medizin.<\/li>\n<li>Graphit und Tiegelkomponenten.<\/li>\n<li>Optikglas-Gl\u00e4ser und Prismenrohlinge.<\/li>\n<\/ul>\n<p>Die steigende Nachfrage nach SiC in EV-Strommodulen und GaN in der 5 G-Infrastruktur hat immer mehr induziert <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">Mehrdrahts\u00e4geausr\u00fcstung<\/a> F\u00fcr diese Anwendungen implementiert werden Von DONGHE angebotene Maschinen sind alle f\u00fcr die Silizium, SiC, Saphir - und Keramikverarbeitung konfiguriert, mit M\u00f6glichkeiten zur Einstellung der Drahtspannung und der Vorschubgeschwindigkeit f\u00fcr jede Art von Materialien.<\/p>\n<p><!-- H2-5 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Gemeinsame Herausforderungen und wie man sie l\u00f6st<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6248\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them.png\" alt=\"Gemeinsame Herausforderungen und wie man sie l\u00f6st\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<p>Das Schneiden von Drahts\u00e4gen im Produktionsma\u00dfstab f\u00fchrt zu drei h\u00e4ufigen Problemen. Bei jedem Problem lassen sich leicht bekannte Grundursachen diagnostizieren, gegen die technische L\u00f6sungen getestet werden k\u00f6nnen.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">1. Drahtbruch<\/h3>\n<p>Drahtbruch Tritt auf, wenn Draht einrastet und der Schnitt innerhalb von Sekunden sofort gestoppt wird, um die gesamte Charge zu ruinieren. Zu den Quellen geh\u00f6ren Spannungsspitzen, die durch abgenutzte Antriebsriemen, einen falsch ausgerichteten K\u00fchlmittelfluss am Drahteintritt oder Drahterm\u00fcdung aufgrund von Erhitzen und Knicken verursacht werden. Untersuchungen zu Drahts\u00e4ge-Verschlei\u00dfeffekten (PMC) besagen, dass bei Ersch\u00f6pfung des Diamantkorns die Verschlei\u00dfrate einer proportionalen kurvenverwendenden Z\u00e4hlung der Anzahl von Zoll folgt, die der Draht bei einem bestimmten Lauf durchschneidet, Teile des Drahtes k\u00f6nnen vor einem katastrophalen Ausfall geplant werden.<\/p>\n<p>L\u00f6sungen: Installieren Sie ein Diamantdraht-Management-System (DWMS), um den Verschlei\u00df in Echtzeit zu messen Schneiden Sie mit niedrigerer Eintrittszufuhrrate f\u00fcr die ersten 5 mm Tiefe \u00dcberpr\u00fcfen Sie die Spannung des Antriebsriemens alle 3 Monate. Zeichnen Sie die Drahtspannung auf und protokollieren Sie alle Spitzen, die gr\u00f6\u00dfer als 51TP3 T des Sollwerts sind.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">2. Unterirdischer Schaden (SSD)<\/h3>\n<p>Unterirdische Sch\u00e4den (SSD) Treten auf, wenn Mikrorisse unter der oberen Oberfl\u00e4che des Wafers um 1-30 m reichen. Zu den beitragenden Faktoren geh\u00f6ren eine \u00fcberm\u00e4\u00dfige Zufuhrrate, grober Diamantgrus und Vibration. Die anschlie\u00dfende Elektronikverarbeitung erfordert zus\u00e4tzliches Schleifen, L\u00e4ppen und Polieren, was zu h\u00f6heren Kosten und geringeren Ausbeuten f\u00fchrt, wenn die Schadensschicht zu tief wird.<\/p>\n<p>L\u00f6sungen: Reduzieren Sie die Zufuhrrate beim Schneiden spr\u00f6der Materialien (SiC und Saphir) Verwenden Sie Schleifer mit feinerer K\u00f6rnung (10-20 m zum Abschluss des Schnitts, 30-40 m zum Rohschnitt).Sichern Sie, dass der K\u00fchlwasserfluss optimal ist, um Vibrationen und thermische Belastungen zu reduzieren. Die Branchenpraxis besagt, dass SSD unter 5 m auf Si machbar ist.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">3. Inkonsistente Wafer-Dicke<\/h3>\n<p>Schwankungen in der Dicke \u00fcber eine Charge hinweg k\u00f6nnen durch die Ausdehnung der Drahtbahn und der F\u00fchrungsrollen, eine ungleichm\u00e4\u00dfige Verteilung der Drahtspannung auf viele Z\u00fcge oder durch Nutverschlei\u00df in den F\u00fchrungsrollen verursacht werden. Eine thermische Drift \u00fcber 8-10 Stunden kontinuierlichen Schnitts k\u00f6nnte die Oberseite um 5-10 m verschieben.<\/p>\n<p>L\u00f6sungen: Mit temperaturgeregeltem K\u00fchlmittel auf 0,5 C Genauigkeit k\u00fchlen Verwenden Sie eine Drahtspannungsregelung mit geschlossenem Kreislauf, wobei mehrere Messpunkte \u00fcber den Draht verteilt sind Planen Sie die monatliche Messung und das Nachschleifen der Walzenrillen. Drehen Sie den Draht nach alle 8-10 Stunden des aktiven Schneidens.<\/p>\n<p><!-- Pro Tip --><\/p>\n<div style=\"background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; margin: 24px 0;\">\n<p style=\"margin: 0 0 10px;\"><strong>Wartungspro-Tipp<\/strong><\/p>\n<p style=\"margin: 0;\">Vorbeugender Wartungsplan: t\u00e4gliche Drahtzugpr\u00fcfung; Inspektion des Antriebsriemens alle 3 Monate; Messung der Rollenrille jeden Monat; Drahtdrehung alle 8-10 Stunden Dieser Zeitplan kann ungeplante Ausfallzeiten um 30-401TP3 T reduzieren, basierend auf empirischen Daten aus dem Werksbetrieb.<\/p>\n<\/div>\n<p><!-- H2-6 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">So w\u00e4hlen Sie die richtige Mehrdrahts\u00e4ge aus<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6249\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw.png\" alt=\"So w\u00e4hlen Sie die richtige Mehrdrahts\u00e4ge aus\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<p>Klicken Sie hier, um anhand einer Checkliste zu entscheiden, welche Spezifikationen Sie f\u00fcr Ihre Mehrdrahts\u00e4gemaschine w\u00e4hlen sollten.<\/p>\n<p><strong>Auswahl-Checkliste:<\/strong><\/p>\n<ol>\n<li>Materialtyp \u2013 diktiert Drahttyp, K\u00f6rnung und Vorschubgeschwindigkeit. Saphir und Siliziumkarbid ben\u00f6tigen speziellen Diamantdraht; GaAs k\u00f6nnen eine Schneidkapazit\u00e4t f\u00fcr G\u00fclle erfordern.<\/li>\n<li>Wafer-Gr\u00f6\u00dfe \u2013 Maschinengr\u00f6\u00dfen sind f\u00fcr 150 mm, 200 mm oder 300 mm maximalen Wafer-Durchmesser ausgelegt Best\u00e4tigen Sie, dass Ihre K\u00fchl- und Waschstationen der ausgew\u00e4hlten Spezifikation entsprechen.<\/li>\n<li>Produktionsvolumen \u2013 F &amp; E-Gruppen ben\u00f6tigen Maschinen, die singul\u00e4re Barren mit minimalem Aufbau schneiden Produktionsgruppen ben\u00f6tigen vollautomatische Maschinen mit hohem Durchsatz und hoher Konsistenz.<\/li>\n<li>Die Maschine muss sowohl Silizium- als auch III-V-Schneiddr\u00e4hte und G\u00fclleschneiden unterst\u00fctzen, wenn Sie beides verarbeiten.<\/li>\n<li>Automatische HMI-Highline-Rezeptsteuerung und Ger\u00e4tenachrichtennetzwerk (SECS\/GEM) sind Standard f\u00fcr die Produktionsumgebung.<\/li>\n<li>Spot Buy bewertet nominale Teile- und Reaktionsrichtlinien, Ersatzteilbest\u00e4nde, Ingenieurschulungen, technische Supportzeiten. Ohne \u00fcberm\u00e4\u00dfige Investitionen k\u00f6nnen die Ausfallzeiten in der Halbleiterfertigung leicht mehr als 1 TP4T10.000 pro Stunde betragen.<\/li>\n<\/ol>\n<p>DONGHE (Basis Shanghai Donghe Science &amp; Technology Co., Ltd) verf\u00fcgt \u00fcber mehr als 10 Jahre Erfahrung in der Herstellung von <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">Pr\u00e4zisionsdrahts\u00e4ge Schneidemaschinen<\/a> F\u00fcr die Halbleiterindustrie. DONGHE bietet sowohl die Fertigungsausr\u00fcstung als auch die anwendungsbezogene technische Unterst\u00fctzung, um die Maschinenkonfiguration an Ihre Anforderungen an Material- und Waferspezifikationen anzupassen, mit ISO 9001:2015 CE-Zertifizierung, 35 Patenten und \u00fcber 10.000 aufgezeichneten Schnittereignissen f\u00fcr \u00fcber 300 Kunden.<\/p>\n<p><!-- H2-7 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6250\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide.png\" alt=\"Wie Halbleiter-Mehrdraht-S\u00e4gen Slice Wafers Prinzip, Spezifikationen und Kaufanleitung\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Wie ist der S\u00e4geprozess von Halbleitern?<\/h3>\n<p>Beim Halbleiters\u00e4gen wird ein Halbleiterbarren mit Epoxidharz oder Wachs an einem Zufuhrtisch befestigt und dann langsam in eine Bahn aus vielen Kohlenstoff- oder Beryllium-\/Kupferdr\u00e4hten abgesenkt, die mit 10-25 Metern pro Sekunde \u00fcber F\u00fchrungsrollen laufen. Diamantgetriebener Draht oder mit G\u00fclle zugef\u00fchrter Draht schleift an der Substanz, durch die er flie\u00dft, weg und teilt sie in einem Arbeitsgang in Hunderte von Wafern. W\u00e4hrend des S\u00e4gens werden kontinuierliche K\u00fchlmittel zirkuliert, um eine W\u00e4rmebildung zu verhindern und Schmutz abzutragen.<\/p>\n<p>Sobald der Halbleiter zu Wafern zers\u00e4gt wurde, wird die Verarbeitung durch Reinigen, L\u00e4ppen und Polieren fortgesetzt. Anschlie\u00dfend kann der Wafer als Substrat f\u00fcr die Ger\u00e4teherstellung verwendet werden.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Wie sorgt eine Mehrdrahts\u00e4ge f\u00fcr eine gleichbleibende Waferdicke<\/h3>\n<p>Eine gleichbleibende Waferdicke h\u00e4ngt von 3 Steuerungssystemen ab, um eine wiederholbare Dicke zu erreichen. Erstens verhindert die Drahtspannungsregelung mit geschlossenem Regelkreis ein \u00dcberspannen oder Durchh\u00e4ngen der verschiedenen Drahtspannweiten w\u00e4hrend des Prozesses. Zweitens verhindert ein temperaturgesteuertes K\u00fchlmittel (normalerweise genau auf 0,5 C genau) eine Ausdehnung der Drahtbahn und der F\u00fchrungsrollens\u00e4tze aufgrund von Hitze.<\/p>\n<p>Drittens werden zuverl\u00e4ssige und genau beabstandete F\u00fchrungsrollen mit einer Rillenabstandsgenauigkeit von weniger als 2 m verwendet, um die einzelnen Dr\u00e4hte genau zu platzieren. Alle diese Systeme sind integriert, um einen TTV von weniger als 10 m in der Produktion und weniger als 5 m in der hochpr\u00e4zisen Multis-Drahts\u00e4ge zu erreichen.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Welche Materialien kann eine Mehrdrahts\u00e4ge neben Silizium schneiden?<\/h3>\n<p>Materialien: SiC, Saphir, GaAs, GaN, Quarz, Keramik, Graphit, optisches Glas usw. F\u00fcr die h\u00e4rtesten Substrate wird Diamonddraht verwendet, w\u00e4hrend f\u00fcr weichere III-V-Verbindungen h\u00e4ufig Aufschl\u00e4mmung verwendet wird.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Wie hoch ist die typische Lebensdauer des Schneiddrahtes?<\/h3>\n<p>Eine gute Lebensdauer des Diamantdrahts h\u00e4ngt von der H\u00e4rte des zu schneidenden Materials und dem Durchmesser des Drahtes ab. Bei Siliziumbarren schneidet eine Spule Diamantdraht (im Allgemeinen 80-120 mm Durchmesser) 800-1500 Wafer aus, bis der Durchmesser des Diamantkorns unter das effektive Schneidniveau f\u00e4llt. Im Fall von SiC kann die Lebensdauer des Diamantdrahts aufgrund der extremen H\u00e4rte des Materials nur 200-400 Wafer pro Drahtspule betragen (Mohs 9,5).<\/p>\n<p>Gute Praxis ist im Allgemeinen, den Draht alle 8-10 Stunden des aktiven Schneidens zu verschieben und die Spannung richtig zu steuern. Einige Hersteller verwenden ein Diamantdrahtmanagementsystem (DWMS), das den gesamten Drahtverschlei\u00df in Echtzeit \u00fcberwacht und eine Warnung f\u00fcr den Betrieb bereitstellt, bevor die Wahrscheinlichkeit eines Drahtschusses hoch ist.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">K\u00f6nnen Mehrdrahts\u00e4gen in bestehende Produktionslinien integriert werden?<\/h3>\n<p>Ja. Fast alle modernen Mehrdrahts\u00e4gemaschinen erleichtern die branchen\u00fcblichen SECS\/GEM-Protokolle f\u00fcr ein gut integriertes MES-System. DONGHE-Mehrdrahts\u00e4gen verf\u00fcgen \u00fcber konfigurierbare E\/A f\u00fcr automatisch betriebene Rezeptwerte f\u00fcr die Datenprotokollierung.<\/p>\n<p><!-- CTA Section --><\/p>\n<div style=\"background: #f5f5f5; padding: 32px; margin: 48px 0 32px; text-align: center;\">\n<p style=\"margin: 0 0 8px; font-weight: bold;\">Ben\u00f6tigen Sie eine Mehrdraht-S\u00e4ge f\u00fcr Ihre Wafer-Produktion?<\/p>\n<p style=\"margin: 0 0 20px; color: #6b7280;\">DONGHE Ingenieure richten mit Ihnen zusammen Ihre Maschine f\u00fcr das Material ein, das Sie verarbeiten m\u00f6chten, die ben\u00f6tigte Wafergr\u00f6\u00dfe und das Volumen des Betriebs. ISO 9001:2015 zertifiziert. 35 Patente \u00dcber 300 globale Kunden.<\/p>\n<p><a style=\"display: inline-block; background: #2d2d2d; color: #fff; padding: 14px 32px; text-decoration: none; font-weight: bold;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">Entdecken Sie DONGHE Multi Wire Saws \u2192<\/a><\/p>\n<\/div>\n<p><!-- Related Articles --><\/p>\n<div style=\"margin: 40px 0 32px;\">\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Verwandte Artikel<\/h2>\n<ul>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">DONGHE Multi Wire Saw Produktkatalog<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/diamond-wire-saw-for-semiconductor\/\" target=\"_blank\">Diamantdrahts\u00e4ge f\u00fcr Halbleiteranwendungen<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/sic-wafer-cutting\/\" target=\"_blank\">SiC-Waferschneiden: Herausforderungen und L\u00f6sungen<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/wire-saw-vs-blade-saw\/\" target=\"_blank\">Drahts\u00e4ge vs. Klingens\u00e4ge: Was ist das Richtige f\u00fcr Ihre Anwendung?<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/sapphire-cutting-guide\/\" target=\"_blank\">Saphirschneideanleitung f\u00fcr die LED-Substratherstellung<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<p><!-- References & Sources --><\/p>\n<div style=\"margin: 40px 0 32px;\">\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Referenzen und Quellen<\/h2>\n<ol>\n<li>Zhou, S. et al. (2023). \u201cNeuere Fortschritte beim Diamantdrahts\u00e4gen von Siliziumwafer\u201d Materialien, MDPI. <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/pmc.ncbi.nlm.nih.gov\/articles\/PMC10456952\/\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">PMC\/NIH<\/a><\/li>\n<li>Wu, C. et al. (2023). \u201cWire-Saw Wear Effect on Wafer Surface Quality\u201d Materials, MDPI. <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/pmc.ncbi.nlm.nih.gov\/articles\/PMC10223077\/\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">PMC\/NIH<\/a><\/li>\n<li>SEMI-Standards. \u201cSEMI M1-Spezifikation f\u00fcr polierte Einkristall-Siliziumwafer\u201d <a href=\"https:\/\/store-us.semi.org\/products\/m00100-semi-m1-specification-for-polished-single-crystal-silicon-wafers\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">SEMI-Laden<\/a><\/li>\n<li>Kumar, A. &amp; Melkote, SN (2018). \u201cDiamantdraht-S\u00e4gen von Solarsiliziumwafern: Eine nachhaltige Herstellungsalternative\u201d\u201d Procedia Manufacturing. <a href=\"https:\/\/www.sciencedirect.com\/science\/article\/pii\/S2351978918301963\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">ScienceDirect<\/a><\/li>\n<li>Wang, Y. et al. (2025). \u201cUntergrundsch\u00e4den bei Diamantdraht-S\u00e4gewafern\u201d Journal of Materials Science: Materials in Electronics. <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/link.springer.com\/article\/10.1007\/s10854-025-16034-w\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">Springer<\/a><\/li>\n<li>Schwartz, RJ et al. \u201cLaser Wafering for Silicon Solar Cells\u201d US-Energieministerium, OSTI. <a href=\"https:\/\/www.osti.gov\/biblio\/1011705\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">DOE\/OSTI<\/a><\/li>\n<\/ol>\n<\/div>\n<p><!-- Transparency Statement --><\/p>\n<div style=\"margin: 40px 0 0; padding: 16px 24px; border: 1px solid #e0e0e0; color: #6b7280;\">\n<p style=\"margin: 0;\">Zu beachtende Punkte: Dieser Artikel wurde von der technischen Inhaltsgruppe von DONGHE unter Verwendung ver\u00f6ffentlichter akademischer Forschungsergebnisse, Richtlinien der SEMI-Industrie und Pflanzenerfahrung aus \u00fcber 10.000 Drahts\u00e4ges\u00e4geveranstaltungen verfasst. Datenpunktquellen sind allesamt von Experten begutachtete Ver\u00f6ffentlichungen und Gesch\u00e4ftsberichte, die oben zitiert werden. DONGHE fertigt\/vertreibt die hier genannten Mehrdrahts\u00e4geger\u00e4te.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<style>\r\n.lwrp.link-whisper-related-posts{\r\n            \r\n            margin-top: 40px;\nmargin-bottom: 30px;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-title{\r\n            \r\n            \r\n        }.lwrp .lwrp-description{\r\n            \r\n            \r\n\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-container{\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-multi-container{\r\n            display: flex;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-double{\r\n            width: 48%;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-triple{\r\n            width: 32%;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-row-container{\r\n            display: flex;\r\n            justify-content: space-between;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-row-container .lwrp-list-item{\r\n            width: calc(25% - 20px);\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-item:not(.lwrp-no-posts-message-item){\r\n            \r\n 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class=\"lwrp-list-item\"><a href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/coolant-selection-and-management-for-wire-sawing\/\" class=\"lwrp-list-link\"><span class=\"lwrp-list-link-title-text\">Auswahl und Verwaltung von K\u00fchlmitteln f\u00fcr das Drahts\u00e4gen<\/span><\/a><\/li><li class=\"lwrp-list-item\"><a href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/multi-wire-saw-vs-gang-saw-comparison\/\" class=\"lwrp-list-link\"><span class=\"lwrp-list-link-title-text\">Mehrdrahts\u00e4ge vs. Gangs\u00e4ge: Ein datengesteuerter Vergleich f\u00fcr Steinverarbeitungsanlagen<\/span><\/a><\/li>                    <\/ul>\r\n                    <ul class=\"lwrp-list lwrp-list-double lwrp-list-right\">\r\n                        <li class=\"lwrp-list-item\"><a href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/diamond-wire-saw-vs-slurry-saw\/\" class=\"lwrp-list-link\"><span class=\"lwrp-list-link-title-text\">Vergleich zwischen Diamantdrahts\u00e4ge und Schlamms\u00e4ge<\/span><\/a><\/li><li class=\"lwrp-list-item\"><a href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/crystal-wire-saw\/\" class=\"lwrp-list-link\"><span class=\"lwrp-list-link-title-text\">Vollst\u00e4ndiger Leitfaden zur Kristalldrahts\u00e4ge<\/span><\/a><\/li><li class=\"lwrp-list-item\"><a href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/optimizing-wire-speed-and-feed-rate-for-ceramics\/\" class=\"lwrp-list-link\"><span class=\"lwrp-list-link-title-text\">Optimierung der Drahtgeschwindigkeit und Vorschubgeschwindigkeit f\u00fcr Keramik<\/span><\/a><\/li><li class=\"lwrp-list-item\"><a href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/cut-ceramics-without-cracking\/\" class=\"lwrp-list-link\"><span class=\"lwrp-list-link-title-text\">Wie schneidet man spr\u00f6de Keramik ohne zu rei\u00dfen?<\/span><\/a><\/li>                    <\/ul>\r\n                <\/div>\r\n                        <\/div>\r\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>How Semiconductor Multi Wire Saws Slice Wafers: Principle, 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