{"id":6422,"date":"2026-06-04T07:58:11","date_gmt":"2026-06-04T07:58:11","guid":{"rendered":"https:\/\/wiresawcutter.com\/?p=6422"},"modified":"2026-06-04T07:58:11","modified_gmt":"2026-06-04T07:58:11","slug":"silicon-wafer-material","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/wiresawcutter.com\/de\/blog\/silicon-wafer-material\/","title":{"rendered":"Siliziumwafermaterial: Vollst\u00e4ndiger Leitfaden zu Typen, Sorten und Spezifikationen"},"content":{"rendered":"
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Siliziumwafermaterial ist die d\u00fcnne, ultrareine kristalline Scheibe, auf der fast jedes Halbleiterger\u00e4t aufgebaut ist, vom Prozessor in Ihrem Telefon bis zum Leistungsmodul in einem Elektroauto. Die meisten Erkl\u00e4rungen enden jedoch bei \u201ces besteht aus Sand\u201d\u201d Das stimmt, aber es \u00fcberspringt die Teile, die tats\u00e4chlich wichtig sind, wenn Sie Wafer spezifizieren, kaufen oder schneiden: welche Kristallart Sie ausw\u00e4hlen, welche Dicke und Ebenheit Sie erwarten k\u00f6nnen, wie aus einem Barren Hunderte von Spiegelscheiben werden und wie viel kostspieliges Silizium verschwindet unterwegs als Staub.<\/p>\n

Dieser Guide geht durch all das, mit reellen Zahlen und den dahinter stehenden Standards Wir bauen Schneidger\u00e4te f\u00fcr harte, spr\u00f6de Materialien, deshalb achten wir besonders auf eine Stufe, die die enzyklop\u00e4dischen Guides besch\u00f6nigen: den Schneidschritt, bei dem ein \u00fcberraschender Anteil jedes Barrens an der S\u00e4ge verloren geht.<\/p>\n

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Schnelle Spezifikationen: Siliziumwafermaterial auf einen Blick<\/h3>\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Grundmaterial<\/td>\nSilizium in elektronischer Qualit\u00e4t (EGS), Reinheit 99,9999999%+ (9 N 11 N)<\/td>\n<\/tr>\n
Kristallstruktur<\/td>\nMonokristallin (CZ oder Float-Zone) oder multikristallin<\/td>\n<\/tr>\n
\u00dcbliche Durchmesser<\/td>\n100, 150, 200, 300 mm (450 mm noch Vorproduktion)<\/td>\n<\/tr>\n
Standarddicke<\/td>\n~525 \u00b5m (100 mm) bis ~775 \u00b5m (300 mm), pro SEMI M1<\/td>\n<\/tr>\n
Prim\u00e4rdopanten<\/td>\nBor (p-Typ), Phosphor (n-Typ)<\/td>\n<\/tr>\n
Hauptverwendungen<\/td>\nIntegrierte Schaltkreise, Energieger\u00e4te, Solarzellen, MEMS, Sensoren<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

Was ist ein Siliziumwafer?<\/h2>\n

\"Was<\/p>\n

Ein Siliziumwafer ist eine d\u00fcnne Scheibe eines einzelnen Siliziumkristalls, die als Substrat, als Fundament, f\u00fcr den Aufbau elektronischer Bauteile dient In der Elektronik ist ein Wafer ist eine d\u00fcnne Halbleiterscheibe<\/a> Auf und innerhalb derer Transistoren, Dioden und Verbindungen Schicht f\u00fcr Schicht hergestellt werden Der Wafer selbst macht fast nichts elektrisch, bis er verarbeitet ist; Seine Aufgabe besteht darin, flach, sauber und perfekt auf atomarer Ebene geordnet zu sein, damit Milliarden von Ger\u00e4ten \u00fcber seine Oberfl\u00e4che strukturiert werden k\u00f6nnen.<\/p>\n

Silizium hat sich diese Rolle aus drei Gr\u00fcnden verdient: Es ist reichlich vorhanden, es bildet ein stabiles natives Oxid (Siliziumdioxid), das einen hervorragenden Isolator darstellt, und sein elektrisches Verhalten kann durch Zugabe winziger Mengen anderer Elemente pr\u00e4zise abgestimmt werden Ein einzelner 300-mm-Wafer kann Tausende einzelner Chips tragen, von denen jeder Milliarden von Transistoren enth\u00e4lt. Deshalb ist der Wafer die W\u00e4hrungseinheit bei der Chipherstellung. Fabs messen die Produktion in \u201cWaferstarts pro Monat\u201dnicht in Chips.<\/p>\n

\n
\ud83d\udca1<\/span> Schl\u00fcssel zum Mitnehmen<\/strong><\/div>\n

Der Wafer ist ein fertiges Ger\u00e4t, kein fertiges Ger\u00e4t Sein Wert kommt von der Ebenheit, Reinheit der Kristallordnung, und die Eigenschaften der Kristalle h\u00e4ngen von jedem sp\u00e4teren Verarbeitungsschritt ab.<\/p>\n<\/div>\n

Woraus bestehen Siliziumwafer?<\/h2>\n

\"Woraus<\/p>\n

Siliziumwafer werden aus Silizium in elektronischer Qualit\u00e4t hergestellt, einem der reinsten Industriematerialien der Erde. Seine Reise beginnt mit gew\u00f6hnlichem Quarzsand (Siliziumdioxid), der in einem Lichtbogenofen auf Silizium in metallurgischer Qualit\u00e4t mit einer Reinheit von etwa 989991TP3 T reduziert wird, das ist bei weitem nicht gut genug f\u00fcr die Elektronik, daher wird das Silizium in ein Gas (Trichlorsilan) umgewandelt, destilliert und durch den Siemens-Prozess als festes Polysilizium zur\u00fcckgeschieden Das abgeschiedene Polysilizium erreicht eine Reinheit von 99999991TP3 T oder besser neun bis elf \u201cNinen\u201d<\/p>\n

Woraus bestehen Siliziumwafer, genau?<\/h3>\n

Im Waferstadium ist das Material nahezu reines Silizium plus absichtliche, Spurenmengen eines Dotierstoffs Um die Reinheit ins rechte Licht zu r\u00fccken: 9 N Silizium erlaubt ungef\u00e4hr ein Fremdatom pro Milliarde SiliziumatomeDieses Dotierstoff, normalerweise Bor<\/strong> F\u00fcr p-Typ bzw Phosphor<\/strong> F\u00fcr n-Typ, wird absichtlich w\u00e4hrend des Kristallwachstums hinzugef\u00fcgt, bei Konzentrationen, die in Teilen pro Milliarde bis Teilen pro Million gemessen werden Diese Spurenatome sind es, die dem Silizium sein n\u00fctzliches halbleitendes Verhalten verleihen; ohne sie ist ultrareines Silizium bei Raumtemperatur nahe an einem Isolator Sand ist weltweit reichlich vorhanden, aber die Raffination, das Kristallwachstum und das Schneiden sind es, die einen fertigen Wafer teuer machen, nicht das rohe Silizium.<\/p>\n

Arten von Siliziumwafern: Monokristallin vs. Polykristallin<\/h2>\n

\"Arten<\/p>\n

Siliziumwafer lassen sich je nach Kristallstruktur und Verarbeitung in einige Familien einteilen. Die wichtigste Spaltung ist monokristallin versus multikristallin, aber auch technische Substrate wie SOI und epitaktische Wafer sind wichtig.<\/p>\n

\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Typ<\/th>\nKristallstruktur<\/th>\nTypische Verwendung<\/th>\nRelative Kosten<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Monokristallin (CZ)<\/td>\nEinstetiger Kristall<\/td>\nICs, Logik, Speicher, die meisten Chips<\/td>\nHoch<\/td>\n<\/tr>\n
Monokristallin (Schwimmzone)<\/td>\nEinkristall, h\u00f6here Reinheit<\/td>\nEnergieger\u00e4te, Detektoren, hocheffiziente Solaranlage<\/td>\nH\u00f6chste<\/td>\n<\/tr>\n
Multikristallin<\/td>\nViele K\u00f6rner, sichtbare Kristallite<\/td>\nKosteng\u00fcnstigere Solarzellen<\/td>\nNiedrig<\/td>\n<\/tr>\n
SOI (Silizium-auf-Isolator)<\/td>\nSilizium\/Oxid\/Siliziumstapel<\/td>\nHF, Low-Power, Automobilchips<\/td>\nPremium<\/td>\n<\/tr>\n
Epitaxial<\/td>\nGez\u00fcchtete Kristallschicht auf einem Basiswafer<\/td>\nLeistungs, analoge, CMOS-Bildsensoren<\/td>\nPremium<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

Was sind die drei Arten von Siliziumwafern?<\/h3>\n

Wenn Menschen nach \u201cdrei Typen\u201d fragen, meinen sie normalerweise die drei Kristallformen: Monokristallin<\/strong> (ein kontinuierlicher Kristall, der f\u00fcr fast alle integrierten Schaltkreise verwendet wird), Polykristallin \/ multikristallin<\/strong> (viele kleine K\u00f6rner, die in preisg\u00fcnstigen Solarmodulen \u00fcblich sind) und Amorph<\/strong> Silicium (keine Fernordnung, in D\u00fcnnschichtzellen und einigen Displays verwendet) Dotierung f\u00fcgt eine zweite Achse hinzu: jede davon kann mit Bor p-Typ oder n-Typ mit Phosphor gemacht werden Eine h\u00e4ufige und kostspielige Verwechslung ist die Behandlung von multikristallinem Solarsilicium als austauschbar mit monokristallinem IC-Grad, sie sitzen auf unterschiedlichen Reinheitsgraden und sehr unterschiedlichen Preispunkten, und sie sind keine Ersatzstoffe.<\/p>\n

Siliziumwafergr\u00f6\u00dfen, -dicke und -spezifikationen<\/h2>\n

\"Siliziumwafergr\u00f6\u00dfen,<\/p>\n

Waferabmessungen sind nicht beliebig Sie folgen SEMI-Standards (haupts\u00e4chlich SEMI M1), so dass \u00fcberall gebaute Fab-Ger\u00e4te Wafer \u00fcberall handhaben k\u00f6nnen Mit zunehmendem Durchmesser w\u00e4chst auch die Dicke, da eine gr\u00f6\u00dfere Scheibe mehr mechanische Steifigkeit ben\u00f6tigt, um die Handhabung ohne Risse oder Erschlaffung zu \u00fcberstehen.<\/p>\n

\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Durchmesser<\/th>\nNenndicke<\/th>\nGemeinsames Randmerkmal<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
100 mm (4 titel)<\/td>\n~525 \u00b5m<\/td>\nPrimar- + Nebenwohnungen<\/td>\n<\/tr>\n
150 mm (6)<\/td>\n~625 \u00b5m<\/td>\nWohnungen<\/td>\n<\/tr>\n
200 mm (80 titel)<\/td>\n~725 \u00b5m<\/td>\nKerbe<\/td>\n<\/tr>\n
300 mm (12 tel)<\/td>\n~775 \u00b5m<\/td>\nKerbe<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

\u00dcber Durchmesser und Dicke hinaus \u00fcbernehmen drei Ebenheitsparameter den gr\u00f6\u00dften Teil der Sprache auf einem bestimmten Blatt. TTV<\/strong> (Gesamtdickenschwankung) ist die Differenz zwischen den dicksten und d\u00fcnnsten Punkten im Wafer. Bogen<\/strong> Misst, wie stark das Zentrum von einer Bezugsebene abweicht, und Warp<\/strong> Erfasst die volle Peak-to-Valley-Ablenkung der Medianfl\u00e4che Der durch Dotierstoffkonzentration eingestellte Widerstand rundet die elektrische Kernspezifik ab. F\u00fcr die Spitzenlithographie ist die Ebenheit im Submikrometerbereich \u00fcber einer 300-mm-Scheibe keine Nette; es ist der Unterschied zwischen einem scharfen gedruckten Muster und einem unscharfen Muster an der Waferkante.<\/p>\n

Technische Anmerkung<\/strong><\/p>\n

Die endg\u00fcltige Waferflachheit wird beim Schneidschritt abgedeckt. Ein bei niedrigem TTV spezifizierter 300-mm-Wafer kann nicht durch Polieren allein gerettet werden, wenn die S\u00e4ge eine wellige Oberfl\u00e4che hinterlassen hat. L\u00e4ppen und Polieren entfernen nur wenige Mikrometer. Deshalb legt das Schneiden von TTV, nicht nur der Polierqualit\u00e4t, das realistische Flachheitsbudget fest Planen Sie Ihre Dickenzulage (normalerweise Dutzende Mikrometer Lager zum L\u00e4ppen\/\u00c4tzen\/Polieren) um den geschnittenen TTV, den Ihre S\u00e4ge aufnehmen kann.<\/p>\n<\/div>\n

Wie Siliziumwafer hergestellt werden: Vom Sand zur Unze<\/h2>\n

\"Wie<\/p>\n

Die Waferherstellung verwandelt gereinigtes Polysilizium in fertige Scheiben und beginnt mit der Z\u00fcchtung eines Einkristalls. Es gibt zwei vorherrschende Methoden, und die Wahl hat echte Konsequenzen f\u00fcr Reinheit und Preis.<\/p>\n

Die Czochralski (CZ)-Verfahren<\/a> Schmilzt Polysilizium in einem Quarztiegel, taucht einen Impfkristall in die Schmelze und zieht und dreht ihn langsam nach oben, so dass ein Einkristall aus dem Samen nach unten w\u00e4chst. CZ produziert die Barren mit gro\u00dfem Durchmesser, die die Herstellung von Volumenchips ben\u00f6tigt, und es ist das Arbeitstier hinter den meisten kommerziellen Wafern. Sein Kompromiss: Der Quarztiegel leitet Sauerstoff in den Kristall ein, was begrenzt, wie hoch der spezifischen Widerstand sein kann.<\/p>\n

Die Float-Zone-Methode \u00fcberspringt den Tiegel vollst\u00e4ndig Ein Polysiliziumstab wird in einer engen Bewegungszone geschmolzen, die durch Oberfl\u00e4chenspannung an Ort und Stelle gehalten wird, und Verunreinigungen werden auf dem Weg der Zone mitgerissen. Sein Aussto\u00df ist au\u00dfergew\u00f6hnliche Reinheit. Schwebezonensilizium<\/a> Widerst\u00e4nde und Reinheitsgrade erreicht, die CZ nur schwer erreichen kann, weshalb es f\u00fcr Leistungsger\u00e4te und Strahlungsdetektoren gew\u00e4hlt wird Auch hier bricht eine g\u00e4ngige Annahme zusammen: Billiger ist nicht immer die Regel f\u00fcr Solar Forschung am Float-Zone-Silizium f\u00fcr Solarzellen<\/a> Zellwirkungsgrade nahe 25% nachgewiesen hat, dass das reinste Silizium, das nicht das billigste ist, die Leistungsobergrenze festlegt. F\u00fcr Hintergrundinformationen \u00fcber das Kristallwachstum wird das breitere gespeist Lieferkette Photovoltaik<\/a>, \u2018s, das US-Energieministerium beh\u00e4lt einen n\u00fctzlichen \u00dcberblick F\u00fcr einen Schritt-f\u00fcr-Schritt, dies illustrierte Komplettl\u00f6sung der Czochralski-Kristallwachstumsmethode<\/a>.<\/p>\n

Sobald der Barren gewachsen ist, werden seine Enden beschnitten, der Zylinder auf einen genauen Durchmesser geschliffen und eine Kerbe oder eine Ebene bearbeitet, um die Kristallorientierung zu markieren. Erst dann ist er bereit, in Scheiben geschnitten zu werden, der Schritt, in den wir als n\u00e4chstes graben.<\/p>\n

Schneiden und Wafern: Wie Barren zu Wafern werden<\/h2>\n

\"Schneiden<\/p>\n

Beim Schneiden wird aus einem meterlangen Siliziumbarren Hunderte einzelner Wafer, und beim Verschwinden einer erschreckenden Menge teuren Materials. Moderne Fabs und Solarproduzenten schneiden Barren mit einer Diamantdrahts\u00e4ge auf: ein einzelner Stahldraht, der mit feinem Diamantkorn beschichtet ist und in ein Netz aus Hunderten parallelen Durchg\u00e4ngen eingeschraubt ist, die den gesamten Barren auf einmal schneiden.<\/p>\n

Die Kerf-Steuer: Warum ein gro\u00dfer Teil jedes Barrens nie zum Wafer wird<\/h3>\n

Hier ist der Teil, den die \u201cSand to Chip\u201d - Geschichten \u00fcberspringen Jeder Schnitt hat eine Breite, die Schnittfuge, und das gesamte Silizium in dieser Schnittfuge verwandelt sich in der Vergangenheit hat das Schneiden in der Gr\u00f6\u00dfenordnung von 401TP3 T des Barrens an Schnittfuge verloren und sah Sch\u00e4den, was bedeutet, dass ein gro\u00dfer Bruchteil eines kostspieligen, ultrareinen Kristalls niemals als brauchbarer Wafer ausgeliefert wird Auf d\u00fcnnen Photovoltaikwafern ist die Rechnung brutal: Wenn ein Wafer ungef\u00e4hr 150180 \u00b5m dick ist und der S\u00e4gekerf ein betr\u00e4chtlicher Bruchteil davon ist, kann man fast so viel Silizium an den Schnitt verlieren, wie man liefert. Schneiden, wenn man schneidet, nicht poliert, wenn man Wafer, nicht poliert.<\/p>\n

Genau aus diesem Grund ging die Industrie von \u00e4lteren G\u00fclle-S\u00e4gen zu Diamantdraht \u00fcber G\u00fclle-S\u00e4gen lie\u00df Schnittbreiten um 200 \u00b5m; modern Diamantdrahts\u00e4gen f\u00fcr Siliziumwaferschneiden<\/a> Herunterbringen, dass auf etwa 60 \u00b5m, schneller laufen, und die Schleifaufschl\u00e4mmung ganz \u00fcberspringen Eine wissenschaftliche \u00dcberpr\u00fcfung von Schneiden d\u00fcnner Halbleiterwafer (Mechanische Systeme und Signalverarbeitung, 2025)<\/a> Kommt zum gleichen Schluss: Die Reduzierung sowohl der Waferdicke als auch des Drahtdurchmessers ist der wirksamste Hebel zur Steigerung der Ausbeute, da sie die Schnittfuge, die Sie bei jedem Durchgang verlieren, verkleinert.<\/p>\n

Technische Anmerkung<\/strong><\/p>\n

Drahtdurchmesser, Vorschubgeschwindigkeit und Drahtspannung stellen zusammen sowohl den Schnittfugenverlust als auch den geschnittenen TTV ein. Ein feinerer Draht spart Silizium, ist aber anf\u00e4lliger f\u00fcr Durchbiegung und Bruch, daher sind Schnittparameter ein Gleichgewicht, keine einzige \u201cbeste\u201d Zahl. Bei spr\u00f6den, hochwertigen Kristallen liefert die S\u00e4ge, die TTV bei einer schmalen Schnittfuge festh\u00e4lt, zweimal eine Ausbeute, einmal bei eingespartem Material, einmal bei Ebenheit, die bis zum fertigen Wafer erhalten bleibt.<\/p>\n<\/div>\n

Die gleiche Schnittphysik gilt f\u00fcr harte, spr\u00f6de Materialien, Saphir, Siliziumkarbid und kristallines Silizium verhalten sich alle unter einer Drahts\u00e4ge \u00e4hnlich. Deshalb Hart - und Spr\u00f6dmaterialschneiden<\/a> Wird als eine Ingenieursdisziplin behandelt, und warum Pr\u00e4zisions-Diamantdrahts\u00e4geanlagen<\/a> Pro Material abgestimmt sind.<\/p>\n

Wafer-Grade und Qualit\u00e4tsparameter<\/h2>\n

\"Wafer-Grade<\/p>\n

Nicht jede Anwendung braucht einen makellosen Wafer, und wenn Sie es nicht tun, ist die Bezahlung eines solchen ein leises Budgetleck. Wafer werden in Qualit\u00e4ten verkauft, die Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t gegen Preis eintauschen.<\/p>\n

\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Klasse<\/th>\nQualit\u00e4t<\/th>\nAm besten f\u00fcr<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Prime<\/td>\nGer\u00e4tequalit\u00e4t; engste Ebenheit, geringste M\u00e4ngel<\/td>\nProduktions-ICs und -Ger\u00e4te<\/td>\n<\/tr>\n
Test<\/td>\nEtwas geringere Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t; kleinere Sch\u00f6nheitsfehler, noch funktionst\u00fcchtig<\/td>\nProzessentwicklung, FuE<\/td>\n<\/tr>\n
Dummy \/ Monitor<\/td>\nMechanischer\/Prozess-Platzhalter, nicht ger\u00e4tegerecht<\/td>\nWerkzeugabstimmung, Handhabungstests<\/td>\n<\/tr>\n
Zur\u00fcckfordern<\/td>\nAufbereitet\/gestreift und neu poliert<\/td>\nKostensensitive Monitor - und Testl\u00e4ufe<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n

Ingenieure \u00fcberspezifizieren h\u00e4ufig erstklassige Wafer f\u00fcr unkritische Arbeiten und zahlen Ger\u00e4tepreise, um einen Prozess abzustimmen, den ein Test- oder Reclaim-Wafer gut bew\u00e4ltigen w\u00fcrde. Eine einfache Regel hilft: Wenn der Wafer zu einem versandten Ger\u00e4t wird, kaufen Sie Prime; Wenn es ein Schritt auf dem Weg dorthin ist, erledigt normalerweise eine niedrigere Note die Aufgabe.<\/strong> Reclaim-Wafer, Prim- oder Testwafer, bei denen fr\u00fchere Schichten entfernt und die Oberfl\u00e4che neu poliert wurden, werden h\u00e4ufig als Monitorwafer wiederverwendet, gerade weil sie die Fab-Kosten unter Kontrolle halten, ohne das Produkt zu beeintr\u00e4chtigen. Qualit\u00e4tsmetriken, die die gleichen Qualit\u00e4ten vom Spezifikationsblatt trennen: TTV, Bogen, Kette, Partikelanzahl und Widerstandstoleranz.<\/p>\n

Silizium vs. SiC vs. GaN: Auswahl eines Wafer-Materials<\/h2>\n

\"Silizium<\/p>\n

Silizium dominiert nach Volumen, ist aber nicht das einzige Wafermaterial, und f\u00fcr manche Jobs ist es das falsche, was den Pick entscheidet, ist normalerweise die Bandl\u00fccke, die festlegt, wie viel Spannung und W\u00e4rme ein Material nehmen kann, bevor es sich nicht mehr wie ein Halbleiter verh\u00e4lt.<\/p>\n

\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Material<\/th>\nBandl\u00fccke<\/th>\nHerausragende Eigenschaft<\/th>\nAm besten passen<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Silizium (Si)<\/td>\n~1,1 eV (indirekt)<\/td>\nG\u00fcnstiger, reichlicher, ausgereifter Prozess<\/td>\nLogik, Speicher, die meisten Chips<\/td>\n<\/tr>\n
Siliziumkarbid (SiC)<\/td>\n~3.3 eV (breit)<\/td>\nHohe Spannung, hohe Temperatur, hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\nEV-Wechselrichter, Leistungselektronik<\/td>\n<\/tr>\n
Galliumnitrid (GaN)<\/td>\n~3,4 eV (breit)<\/td>\nSchnelles Schalten, hohe Frequenz<\/td>\nLadeger\u00e4te, HF, Stromumwandlung<\/td>\n<\/tr>\n
Galliumarsenid (GaAs)<\/td>\n~1,42 eV (direkt)<\/td>\nHohe Elektronenmobilit\u00e4t, Lichtemission<\/td>\nHF, Mikrowelle, LEDs\/Laser<\/td>\n<\/tr>\n
Indiumphosphid (InP)<\/td>\n~1,34 eV (direkt)<\/td>\nInfrarotoptik<\/td>\nFaseroptisch, Photonik<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n
\n
Warum Silizium immer noch die meisten Jobs gewinnt<\/strong><\/p>\n