{"id":6738,"date":"2026-08-17T17:13:32","date_gmt":"2026-08-17T17:13:32","guid":{"rendered":"https:\/\/wiresawcutter.com\/?p=6738"},"modified":"2026-08-17T17:13:32","modified_gmt":"2026-08-17T17:13:32","slug":"gan-wafer-cutting","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/wiresawcutter.com\/fr\/blog\/gan-wafer-cutting\/","title":{"rendered":"Coupe de plaquettes GaN : \u00e9quipements, param\u00e8tres et meilleures pratiques pour le nitrure de gallium"},"content":{"rendered":"
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d\u00e9coupe de plaquettes de Gan<\/strong> r\u00e9ussit lorsque l'op\u00e9ration, la pile compl\u00e8te de substrat, l'architecture de la machine et le test d'acceptation sont d\u00e9finis ensemble Un r\u00e9glage qui s\u00e9pare un substrat de GaN autonome peut endommager une plaquette de GaN sur silicium trait\u00e9e, tandis qu'un bord coup\u00e9 d'apparence propre peut toujours \u00e9chouer aux contr\u00f4les \u00e9lectriques, optiques ou d'assemblage en aval.<\/p>\n

Mis \u00e0 jour en ao\u00fbt 2026.<\/em><\/p>\n

La d\u00e9coupe de tranches de GaN n\u2019est pas un seul processus.<\/strong> Il comprend le d\u00e9coupage des cristaux ou du substrat, la singulation des plaquettes de dispositif et les op\u00e9rations de scribe-and-cleave Choisissez l'\u00e9quipement seulement apr\u00e8s avoir identifi\u00e9 le support, l'empilement de couches, l'\u00e9paisseur, la profondeur de coupe, les limites thermiques et de particules, et les mesures qui d\u00e9finissent un r\u00e9sultat acceptable.<\/div>\n
Br\u00e8ve de processus rapide<\/strong><\/p>\n