{"id":6239,"date":"2026-04-02T08:05:10","date_gmt":"2026-04-02T08:05:10","guid":{"rendered":"https:\/\/wiresawcutter.com\/?p=6239"},"modified":"2026-04-02T08:25:52","modified_gmt":"2026-04-02T08:25:52","slug":"semiconductor-multi-wire-saw","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/blog\/semiconductor-multi-wire-saw\/","title":{"rendered":"Serra de fio m\u00faltiplo semicondutor: princ\u00edpio de trabalho, especifica\u00e7\u00f5es e guia de sele\u00e7\u00e3o"},"content":{"rendered":"<p><strong>Como as serras de fio multi semicondutor Slice Wafers: princ\u00edpio, especifica\u00e7\u00f5es e guia de compra<\/strong><\/p>\n<div class=\"seo-blog-content\" style=\"padding: 32px 0;\">\n<p><!-- Quick Specs Card --><\/p>\n<div style=\"border-top: 3px solid #2d2d2d; background: #f5f5f5; padding: 24px 28px; margin: 0 0 40px;\">\n<p style=\"margin: 0 0 12px;\"><strong>Especifica\u00e7\u00f5es r\u00e1pidas de serra multiarame semicondutor<\/strong><\/p>\n<table style=\"width: 100%; border-collapse: collapse; margin: 0;\">\n<tbody>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Contagem de fios<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">5000 fios paralelos por corrida<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Velocidade do fio<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">10 5 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Sa\u00edda Wafer<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">Mais de 300 fatias por ciclo de corte \u00fanico<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Perda de Kerf<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">150 20 \u00b5m (fio diamantado padr\u00e3o)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>TTV<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px; border-bottom: 1px solid #e0e0e0;\">padr\u00e3o &lt;10 \u00b5m, &lt;5 \u00b5m alcan\u00e7\u00e1vel<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td style=\"padding: 6px 12px;\"><strong>Materiais<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 6px 12px;\">Si, SiC, safira, GaAs, GaN, quartzo, cer\u00e2mica, grafite<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<p><!-- H2-1 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">O que \u00e9 uma serra semicondutora multifio e como funciona?<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6243\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/What-Is-a-Semiconductor-Multi-Wire-Saw-and-How-Does-It-Work.png\" alt=\"O que \u00e9 uma serra semicondutora multifio e como funciona\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\"><\/p>\n<p>Uma serra de fio m\u00faltiplo semicondutor \u00e9 uma m\u00e1quina de precis\u00e3o, trabalhando em centenas de fios finos paralelos esticados atrav\u00e9s de um conjunto de rolos guia ranhurados para cortar simultaneamente um \u00fanico lingote em uma infinidade de wafers Uma serra de fio m\u00faltiplo difere de uma serra de fio \u00fanico (single-wire) que produz 1 wafer a time (a multi-wire saw pode conter entre 500-2000 v\u00e3os de fio em uma \u00fanica teia de fio, produzindo 300 ou mais fatias por ciclo.<\/p>\n<p>Como funciona uma serra de fio m\u00faltiplo \u00e9 simples Um fio cont\u00ednuo (fio revestido com diamante ou arame nu alimentado com pasta abrasiva) \u00e9 enrolado em torno de um ou mais rolos guia de arame, formando um \u201cweb\u201d paralelo de arames de serragem atrav\u00e9s da pe\u00e7a de trabalho O lingote \u00e9 mantido na teia de arame por uma mesa de alimenta\u00e7\u00e3o utilizando um adesivo ep\u00f3xi para mont\u00e1-lo com seguran\u00e7a A taxa de alimenta\u00e7\u00e3o \u00e9 controlada e, \u00e0 medida que a teia de arame prossegue a taxas entre 10-25 metros por segundo, o arame abrasivamente desgasta seu caminho atrav\u00e9s da pe\u00e7a de trabalho para produzir bolachas com caracter\u00edsticas uniformes e pouco material desperdi\u00e7ado.<\/p>\n<p>Cinco componentes principais definem a arquitetura da m\u00e1quina:<\/p>\n<ul>\n<li>Rolos guia de fio (cilindros de precis\u00e3o mo\u00eddos) com microranhuras direcionando o passo do fio (precis\u00e3o \u00b12 \u00b5m)<\/li>\n<li>Web do fio a disposi\u00e7\u00e3o dos fios de corte paralelos corretamente e dos fios tensionados dentro<\/li>\n<li>A tabela de alimenta\u00e7\u00e3o (feed table) que mant\u00e9m o trabalho apresenta taxas de alimenta\u00e7\u00e3o t\u00e3o baixas quanto 0,2 mm por minuto (sil\u00edcio)<\/li>\n<li>Sistema de refrigera\u00e7\u00e3o (coolant system) fornecendo fluido com temperatura controlada para a zona de corte, lavando detritos e removendo a carga t\u00e9rmica<\/li>\n<li>Unidade de controle de tens\u00e3o (garantindo tens\u00e3o consistente em todos os v\u00e3os do fio para evitar flacidez ou quebra<\/li>\n<\/ul>\n<p>Esta t\u00e9cnica de corte paralelo \u00e9 o princ\u00edpio comum a toda tecnologia de corte em cunha; esta caracter\u00edstica torna a serragem de fio m\u00faltiplo o padr\u00e3o reconhecido da ind\u00fastria tanto na fabrica\u00e7\u00e3o de semicondutores quanto na produ\u00e7\u00e3o de c\u00e9lulas solares.<\/p>\n<p><!-- H2-2 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Fio de diamante vs. Slurry: dois m\u00e9todos de corte comparados<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6245\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared.png\" alt=\"Fio de diamante vs. Slurry Dois m\u00e9todos de corte comparados\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Diamond-Wire-vs.-Slurry-Two-Cutting-Methods-Compared-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<p>Para serras de fio \u00fanico de fabrica\u00e7\u00e3o de semicondutores, use entre 4-6 horas para cortar um lingote de 200 mm que produz um wafer. Uma serra multifio executa todo esse ciclo simultaneamente para produzir centenas de fatias no mesmo per\u00edodo.<\/p>\n<table style=\"width: 100%; border-collapse: collapse; margin: 24px 0;\">\n<thead>\n<tr style=\"background: #2d2d2d; color: #fff;\">\n<th style=\"padding: 12px 14px; text-align: left; border: 1px solid #2d2d2d;\">Par\u00e2metro<\/th>\n<th style=\"padding: 12px 14px; text-align: left; border: 1px solid #2d2d2d;\">Serra de arame de lama<\/th>\n<th style=\"padding: 12px 14px; text-align: left; border: 1px solid #2d2d2d;\">Serra Arame Diamante<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr style=\"background: #ffffff;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Perda de Kerf<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">1600 \u00b5m<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">120180 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #f5f5f5;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Velocidade Corte<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">30 wafers\/hr00<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">7000 waf\/h<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #ffffff;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Di\u00e2metro Fio<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">100 160 \u00b5m (fio nu)<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">600 \u00b5m + revestimento de diamante<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #f5f5f5;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Acabamento de Superf\u00edcie (Ra)<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Mais suave (&lt;0,3 \u00b5m t\u00edpico)<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Ligeiramente (0.000 \u00b5m) (0.000 \u00b5m)<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #ffffff;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Impacto Ambiental<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Res\u00edduos de chorume de SiC (elimina\u00e7\u00e3o perigosa)<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Refrigerante \u00e0 base de \u00e1gua (recicl\u00e1vel)<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"background: #f5f5f5;\">\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\"><strong>Melhor Para<\/strong><\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">GaAs, InP, vidro \u00f3ptico<\/td>\n<td style=\"padding: 10px 14px; border: 1px solid #e0e0e0;\">Si, SiC, safira<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>Existem dois m\u00e9todos principais de fatiamento de wafer usando um \u00fanico fio ou um n\u00famero maior de fios mais finos: serragem com fio diamantado, DWS e serragem com fio \u00e0 base de polpa, SWS. A tabela a seguir \u00e9 uma compara\u00e7\u00e3o dos dois com base em dados reais de produ\u00e7\u00e3o.<\/p>\n<p>DWS \u00e9 agora citado como a tecnologia premier para a fabrica\u00e7\u00e3o de wafer de sil\u00edcio e carboneto de sil\u00edcio Foi demonstrado no artigo publicado na Procedia Manufacturing que DWS oferece uma alternativa mais sustent\u00e1vel ao corte \u00e0 base de chorume, em dar significativamente menos desperd\u00edcio de material e um impacto ambiental minimizado Assim, em compara\u00e7\u00e3o com o corte \u00e0 base de chorume, a maior produtividade (2-3 x rendimento mais r\u00e1pido) e menor perda de kerf pode se traduzir diretamente em muito mais wafers sendo recolhidos a partir do valor de cada lingote de mat\u00e9ria-prima semicondutor precioso Isso tem que ser um benef\u00edcio lucrativo.<\/p>\n<p><!-- Advantages\/Limitations Dual Card --><\/p>\n<div style=\"display: flex; gap: 20px; margin: 24px 0; flex-wrap: wrap;\">\n<div style=\"flex: 1; min-width: 260px; background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; border-top: 3px solid #2d2d2d;\">\n<p style=\"margin: 0 0 10px;\"><strong>Vantagens do fio de diamante<\/strong><\/p>\n<ul style=\"margin: 0; padding-left: 20px;\">\n<li>2\u00d7 produtividade superior \u00e0 pasta<\/li>\n<li>Menor perda de corte = mais bolachas por lingote<\/li>\n<li>Refrigerante \u00e0 base de \u00e1gua (sem res\u00edduos perigosos de chorume)<\/li>\n<li>Necess\u00e1rio para materiais duros: SiC, safira<\/li>\n<li>Compat\u00edvel com fio mais fino para economia de material<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<div style=\"flex: 1; min-width: 260px; background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; border-top: 3px solid #2d2d2d;\">\n<p style=\"margin: 0 0 10px;\"><strong>Limita\u00e7\u00f5es do fio de diamante<\/strong><\/p>\n<ul style=\"margin: 0; padding-left: 20px;\">\n<li>Maior custo por metro do fio versus fio de a\u00e7o nu<\/li>\n<li>A superf\u00edcie mais \u00e1spera pode exigir lapida\u00e7\u00e3o adicional<\/li>\n<li>N\u00e3o \u00e9 ideal para compostos III-V moles (GaAs, InP)<\/li>\n<li>O risco de quebra do fio aumenta com a dureza do SiC<\/li>\n<li>O desgaste do gr\u00e3o de diamante requer monitoramento (recomendado DWMS)<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<\/div>\n<p>O corte baseado em pasta continua sendo o m\u00e9todo dominante usado para semicondutores de componentes GaAs e InP s\u00e3o mais macios e fr\u00e1geis que o sil\u00edcio, e a a\u00e7\u00e3o livre-abrasiva da pasta produz menos danos subterr\u00e2neos nesses materiais Para aplica\u00e7\u00f5es de vidro \u00f3ptico, a pasta tamb\u00e9m fornece o acabamento superficial mais suave necess\u00e1rio para reduzir as etapas de polimento p\u00f3s-corte.<\/p>\n<p><!-- H2-3 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Principais especifica\u00e7\u00f5es que afetam a qualidade do wafer<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6246\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Key-Specifications-That-Affect-Wafer-Quality.png\" alt=\"Principais especifica\u00e7\u00f5es que afetam a qualidade do wafer\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\"><\/p>\n<p>DONGHE oferece <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">multi fio viu equipamento<\/a> suportando ambas as aplica\u00e7\u00f5es, pasta e fio de diamante.<\/p>\n<p><!-- Engineering Note --><\/p>\n<div style=\"border-left: 3px solid #2d2d2d; background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; margin: 24px 0;\">\n<p style=\"margin: 0 0 12px;\"><strong>Nota de Engenharia (Especifica\u00e7\u00f5es Cr\u00edticas da Wafer)<\/strong><\/p>\n<ul style=\"margin: 0; padding-left: 20px;\">\n<li>Varia\u00e7\u00e3o de Espessura Total (TTV): &lt;10 m \u00e9 o alvo padr\u00e3o da produ\u00e7\u00e3o O multi-fio de alta precis\u00e3o tridirecional alcan\u00e7a &lt;5 m (aproximando-se da especifica\u00e7\u00e3o de refer\u00eancia do fio-EDM).A qualidade do rolo de guia e o equil\u00edbrio da tens\u00e3o do fio controlar\u00e3o primeiramente o TTV.<\/li>\n<li>Arco e Warp: 30 m em t\u00edpico para bolachas de 150250 mm. arco excessivo muitas vezes resultar\u00e1 de um desequil\u00edbrio na carga t\u00e9rmica durante o corte, ou tens\u00e3o residual ap\u00f3s alta taxa de alimenta\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<li>Perda de Kerf: 150250 m associada ao fio de diamante usual O sistema experimental de 50 m fio fino baseado multi-fio demonstrou 100 m perda de kerf No entanto, n\u00e3o foi comercializado.<\/li>\n<li>Dano Subsuperficial (SSD): Aproximadamente 1-30 m dependendo do material, gr\u00e3o de arame e taxa de alimenta\u00e7\u00e3o De acordo com a pesquisa fornecida pelo <a href=\"https:\/\/pmc.ncbi.nlm.nih.gov\/articles\/PMC10456952\/\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">PMC\/NIH<\/a> e <a href=\"https:\/\/link.springer.com\/article\/10.1007\/s10854-025-16034-w\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">Springer<\/a>, pequena quantidade de SSD \u00e9 descoberta como incontrol\u00e1vel na serragem de arame - ela s\u00f3 pode ser minimizada e completamente removida pelo controle do processo dos par\u00e2metros de corte, subsequente lapida\u00e7\u00e3o e polimento.<\/li>\n<li>Rugosidade da Superf\u00edcie (Ra): \u00c9 poss\u00edvel reduzir abaixo de 0,5 m antes do lapida\u00e7\u00e3o Os valores de rugosidade do fio diamante est\u00e3o em torno de 0,3-0,5 m. Os valores de rugosidade do fio da pasta foram observados entre 0,2 m e 0,3 m.<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<p>Uniformidade da tens\u00e3o do fio (al\u00e9m de toda a teia de fio) \u00e9 o \u00fanico fator mais importante que afeta a qualidade da bolacha Usando a medi\u00e7\u00e3o da for\u00e7a do fio em um sistema de controle de tens\u00e3o de circuito fechado, a tens\u00e3o ao longo de toda a teia de fio deve ser medida e a regula\u00e7\u00e3o com o alongamento do fio e as mudan\u00e7as t\u00e9rmicas s\u00e3o conduzidas Caso contr\u00e1rio, a varia\u00e7\u00e3o de espessura entre as extremidades da teia de fio pode ser geralmente superior a 20 m (o que est\u00e1 bem fora da especifica\u00e7\u00e3o SEMI M1 na categoria de bolacha de sil\u00edcio polido).<\/p>\n<p>Ao selecionar uma serra de fio diamantado para fatiar semicondutores, \u00e9 importante verificar se a m\u00e1quina possui um sistema de controle de tens\u00e3o de circuito fechado, um refrigerante que \u00e9 controlado com precis\u00e3o de 0,5 C e rolos guia com precis\u00e3o de passo inferior a 2 m.<\/p>\n<p><!-- H2-4 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Materiais um Multi Wire Saw Can Process<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6247\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Materials-a-Multi-Wire-Saw-Can-Process.png\" alt=\"Materiais um Multi Wire Saw Can Process\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\"><\/p>\n<p>As serras de fio m\u00faltiplo s\u00e3o equipamentos vers\u00e1teis projetados para cortar muitos dos itens mais duros e dif\u00edceis de usinar no espa\u00e7o da engenharia, eletr\u00f4nica, processamento fotovoltaico e ind\u00fastria cer\u00e2mica avan\u00e7ada Os itens listados abaixo s\u00e3o os principais m\u00f3dulos e materiais de aplica\u00e7\u00e3o.<\/p>\n<ul>\n<li>Sil\u00edcio (mono - e policristalino) sil\u00edcio \u00e9 a base de c\u00e9lulas solares e wafers semicondutores Ambos os lingotes mono - e poli-sil\u00edcio s\u00e3o especificados como padr\u00e3o.<\/li>\n<li>Semicondutores de pot\u00eancia de carboneto de sil\u00edcio (SiC) e inversores de ve\u00edculos el\u00e9tricos A natureza extremamente dura do SiC (Mohs 9.5) coloca o fio diamantado como o \u00fanico fio de corte adequado Os analistas de mercado prev\u00eaem que a demanda de wafers de SiC crescer\u00e1 de 1,69 bilh\u00e3o de d\u00f3lares americanos em 2025 para 6,4 bilh\u00f5es de d\u00f3lares americanos em 2032 com um CAGR de 21,3%.<\/li>\n<li>Substratos de safira &amp; janelas \u00f3pticas Fio de diamante necess\u00e1rio no abrasivo devido a Mohs 9.<\/li>\n<li>Nitreto de g\u00e1lio (GaN) Dispositivos de RF eletr\u00f4nica de pot\u00eancia e semicondutores compostos.<\/li>\n<li>Transmiss\u00f5es \u00f3pticas &amp; telecom do arsenieto de g\u00e1lio (GaAs).Normalmente cortadas com fio da pasta, a fim reduzir dano de superf\u00edcie.<\/li>\n<li>Componentes e ressonadores de quartzo.<\/li>\n<li>Cer\u00e2mica t\u00e9cnica alumina, zirc\u00f4nia, piezocer\u00e2mica industrial, m\u00e9dica.<\/li>\n<li>Grafite e componentes do cadinho.<\/li>\n<li>Lentes de vidro \u00f3ptico de precis\u00e3o e pe\u00e7as em bruto de prisma.<\/li>\n<\/ul>\n<p>A crescente demanda por SiC em m\u00f3dulos de energia EV e GaN na infraestrutura 5 G induziu mais e mais <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">equipamento de serra multi-fio<\/a> sendo implementadas para estas aplica\u00e7\u00f5es, as m\u00e1quinas oferecidas pela DONGHE s\u00e3o todas configuradas para processamento de sil\u00edcio, SiC, safira e cer\u00e2mica, com possibilidades de ajuste de tens\u00e3o do fio e taxa de alimenta\u00e7\u00e3o para cada tipo de materiais.<\/p>\n<p><!-- H2-5 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Desafios comuns e como resolv\u00ea-los<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6248\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them.png\" alt=\"Desafios comuns e como resolv\u00ea-los\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Common-Challenges-and-How-to-Solve-Them-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<p>O corte de serra de arame em escala de produ\u00e7\u00e3o introduz tr\u00eas problemas comuns Cada um \u00e9 facilmente diagnosticado com causas profundas conhecidas, contra as quais as solu\u00e7\u00f5es de engenharia podem ser testadas.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">1. quebra de fio<\/h3>\n<p>Quebra de fio Ocorre quando o fio se encaixa, parando imediatamente o corte em segundos, para arruinar todo o lote As fontes incluem picos de tens\u00e3o, causados por correias de transmiss\u00e3o desgastadas, fluxo desalinhado de refrigerante na entrada do fio ou fadiga do fio devido ao aquecimento e tor\u00e7\u00e3o A pesquisa sobre efeitos de desgaste da serra de fio (PMC) afirma que, \u00e0 medida que a areia de diamante se esgota, a taxa de desgaste segue uma contagem proporcional usando curva do n\u00famero de polegadas cortadas pelo fio em uma determinada corrida, partes do fio podem ser programadas antes da falha catastr\u00f3fica.<\/p>\n<p>Solu\u00e7\u00f5es: Instale um sistema de gerenciamento de fio diamantado (DWMS) para medir o desgaste em tempo real Corte com menor taxa de alimenta\u00e7\u00e3o de entrada para os primeiros 5 mm de profundidade Verifique a tens\u00e3o da correia de transmiss\u00e3o a cada 3 meses Registre a tens\u00e3o do fio e registre quaisquer picos maiores que 51TP3 T de ponto de ajuste.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">2. Danos Subsuperficiais (SSD)<\/h3>\n<p>Danos sub-superf\u00edcie (SSD).Ocorre quando micro-rachaduras se estendem por baixo da superf\u00edcie superior da bolacha em 1-30 m. Os fatores contribuintes incluem excesso de taxa de alimenta\u00e7\u00e3o, gr\u00e3o de diamante grosso e vibra\u00e7\u00e3o O processamento eletr\u00f4nico subsequente requer moagem extra, lapida\u00e7\u00e3o e polimento, levando a custos mais elevados e rendimentos mais baixos se a camada de dano se tornar muito profunda.<\/p>\n<p>Solu\u00e7\u00f5es: Reduzir a taxa de alimenta\u00e7\u00e3o ao cortar materiais fr\u00e1geis (SiC e safira).Use moedores com tamanho de gr\u00e3o mais fino (10-20 m para terminar o corte, 30-40 m para o corte \u00e1spero).Garantir que o fluxo de \u00e1gua de resfriamento seja ideal para reduzir a vibra\u00e7\u00e3o e as tens\u00f5es t\u00e9rmicas A pr\u00e1tica da ind\u00fastria afirma que o SSD abaixo de 5 m \u00e9 vi\u00e1vel em Si.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Espessura de bolacha 3. inconsistente<\/h3>\n<p>A varia\u00e7\u00e3o na espessura atrav\u00e9s de um lote pode ser causada pela expans\u00e3o da teia de arame e dos rolos guia, pela distribui\u00e7\u00e3o desigual da tens\u00e3o do arame em muitas tra\u00e7\u00f5es ou pelo desgaste da ranhura nos rolos guia. A deriva t\u00e9rmica ao longo de 8 a 10 horas de corte cont\u00ednuo pode deslocar a superf\u00edcie superior em 5 a 10 m.<\/p>\n<p>Solu\u00e7\u00f5es: Resfrie com refrigerante com temperatura controlada com precis\u00e3o de 0,5 C. Use o controle de tens\u00e3o do fio de circuito fechado, com v\u00e1rios pontos de medi\u00e7\u00e3o distribu\u00eddos pelo fio Agende a medi\u00e7\u00e3o mensal e a reafia\u00e7\u00e3o das ranhuras dos rolos Gire o fio ap\u00f3s cada 8-10 horas de corte ativo.<\/p>\n<p><!-- Pro Tip --><\/p>\n<div style=\"background: #f5f5f5; padding: 20px 24px; margin: 24px 0;\">\n<p style=\"margin: 0 0 10px;\"><strong>Dica Profissional de Manuten\u00e7\u00e3o<\/strong><\/p>\n<p style=\"margin: 0;\">Cronograma de manuten\u00e7\u00e3o preventiva: verifica\u00e7\u00e3o di\u00e1ria da tens\u00e3o do fio; inspe\u00e7\u00e3o da correia de transmiss\u00e3o a cada 3 meses; medi\u00e7\u00e3o do sulco do rolo todos os meses; rota\u00e7\u00e3o do fio a cada 8-10 horas Este cronograma pode reduzir o tempo de inatividade n\u00e3o planejado em 30-401TP3 T, com base em dados emp\u00edricos das opera\u00e7\u00f5es da f\u00e1brica.<\/p>\n<\/div>\n<p><!-- H2-6 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Como escolher a serra multifio certa<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6249\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw.png\" alt=\"Como escolher a serra multifio certa\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-to-Choose-the-Right-Multi-Wire-Saw-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<p>Clique aqui para usar uma lista de verifica\u00e7\u00e3o para decidir quais especifica\u00e7\u00f5es voc\u00ea deve escolher para sua m\u00e1quina de serra de fio m\u00faltiplo.<\/p>\n<p><strong>Lista de verifica\u00e7\u00e3o de sele\u00e7\u00e3o:<\/strong><\/p>\n<ol>\n<li>Tipo de material &amp; quittates tipo de fio, g faixa de taxa de alimenta\u00e7\u00e3o. Fio de diamante dedicado \u00e0 necessidade de safira e carboneto de sil\u00edcio; Ga requer capacidade de corte de pasta.<\/li>\n<li>Tamanho da bolacha Os tamanhos da m\u00e1quina s\u00e3o classificados para 10 mm, 200 mm ou 300 mm wafer m\u00e1ximo Confirme suas esta\u00e7\u00f5es de resfriamento e lavagem se encaixam na especifica\u00e7\u00e3o selecionada.<\/li>\n<li>Volume de produ\u00e7\u00e3o &amp; D grupos precisam de m\u00e1quinas cortadas lingotes singulares com configura\u00e7\u00e3o m\u00ednima Os grupos de produ\u00e7\u00e3o exigem m\u00e1quinas totalmente automatizadas com alto rendimento e consist\u00eancia.<\/li>\n<li>A m\u00e1quina deve suportar fios de corte de sil\u00edcio e III-V e corte de pasta se voc\u00ea processar ambos.<\/li>\n<li>Auto HMI (controle automatizado de receitas e rede de mensagens de equipamentos) (SECS\/GEM) s\u00e3o padr\u00e3o para ambiente de produ\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<li>A compra \u00e0 vista avalia as pol\u00edticas de custo nominal de pe\u00e7as em estoque, estoque de pe\u00e7as de reposi\u00e7\u00e3o e disponibilidade, treinamento de engenheiros e tempo de resposta do suporte t\u00e9cnico Sem investimento excessivo, o custo de tempo de inatividade pode facilmente ser superior a $10.000 por hora na fabrica\u00e7\u00e3o de semicondutores.<\/li>\n<\/ol>\n<p>DONGHE (Baseado em Shanghai Donghe Science &amp; Technology Co Ltd.) tem mais de 10 anos de experi\u00eancia na fabrica\u00e7\u00e3o de <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">m\u00e1quinas corte serra fio precis\u00e3o<\/a> para a ind\u00fastria de semicondutores. A DONGHE fornece o equipamento de fabrica\u00e7\u00e3o e o suporte de engenharia de aplica\u00e7\u00e3o para combinar a configura\u00e7\u00e3o da m\u00e1quina com seus requisitos de especifica\u00e7\u00f5es de materiais e wafer com a certifica\u00e7\u00e3o CE ISO 9001:2015, 35 patentes e mais de 10.000 incidentes de corte registrados para mais de 300 clientes.<\/p>\n<p><!-- H2-7 --><\/p>\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Perguntas frequentes<\/h2>\n<p><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"alignnone size-full wp-image-6250\" src=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide.png\" alt=\"Como o semicondutor multi fio serras fatia wafers princ\u00edpio, especifica\u00e7\u00f5es e guia de compra\" width=\"512\" height=\"512\" title=\"\" srcset=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide.png 512w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-300x300.webp 300w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-150x150.webp 150w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-12x12.webp 12w, https:\/\/wiresawcutter.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/How-Semiconductor-Multi-Wire-Saws-Slice-Wafers-Principle-Specifications-and-Buying-Guide-500x500.webp 500w\" sizes=\"auto, (max-width: 512px) 100vw, 512px\" \/><\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Qual \u00e9 o processo de serragem dos semicondutores?<\/h3>\n<p>Serrar semicondutores envolve fixar um lingote semicondutor a uma mesa de alimenta\u00e7\u00e3o com ep\u00f3xi ou cera, e ent\u00e3o baix\u00e1-lo lentamente em uma teia de muitos fios de carbono ou ber\u00edlio\/cobre que atravessam rolos guia a 10-25 metros por segundo O fio acionado por diamante ou o fio alimentado por pasta moe a subst\u00e2ncia atrav\u00e9s da qual passa, dividindo-a em centenas de bolachas em uma opera\u00e7\u00e3o Os refrigerantes cont\u00ednuos circulam durante a serragem para evitar o ac\u00famulo de calor e para transportar detritos.<\/p>\n<p>Uma vez que o semicondutor tenha sido serrado em wafers, o processamento continua por limpeza, lapida\u00e7\u00e3o e polimento, ap\u00f3s o que o wafer pode ser usado como substrato para a fabrica\u00e7\u00e3o de dispositivos.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Como uma serra de fio m\u00faltiplo garante espessura consistente da bolacha?<\/h3>\n<p>A espessura consistente da bolacha depende do sistema de controle 3 para conseguir a espessura repet\u00edvel Em primeiro lugar, o controle da tens\u00e3o do fio do fechado-la\u00e7o impede sobre-tensionamento ou flacidez dos v\u00e1rios v\u00e3os do fio durante o processo Em segundo lugar, um l\u00edquido de arrefecimento temperatura-controlado (geralmente exato dentro de 0,5 C) impede a expans\u00e3o da teia do fio e dos grupos do rolo de guia devido ao calor.<\/p>\n<p>Em terceiro lugar, rolos guia confi\u00e1veis e espa\u00e7ados com precis\u00e3o, com uma precis\u00e3o de passo de ranhura inferior a 2 m, s\u00e3o usados para espa\u00e7ar com precis\u00e3o os fios individuais Todos esses sistemas s\u00e3o integrados para alcan\u00e7ar TTV de menos de 10 m em produ\u00e7\u00e3o e menos de 5 m em serra de fio multis de alta precis\u00e3o.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Que materiais uma serra de fio m\u00faltiplo pode cortar al\u00e9m do sil\u00edcio?<\/h3>\n<p>Materiais: SiC, safira, GaAs, GaN, quartzo, cer\u00e2mica, grafite, vidro \u00f3ptico etc..O fio de diamante \u00e9 empregado para os substratos mais duros, enquanto a pasta \u00e9 frequentemente usada para compostos III-V mais macios.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">Qual \u00e9 a vida \u00fatil t\u00edpica do fio de corte?<\/h3>\n<p>Boa vida do fio de diamante depende da dureza do material que est\u00e1 sendo cortado e do di\u00e2metro do fio No caso de lingotes de sil\u00edcio, um carretel de fio de diamante (geralmente 80-120 mm de di\u00e2metro) cortar\u00e1 800-1500 wafers para onde o di\u00e2metro do gr\u00e3o de diamante cai abaixo do n\u00edvel de corte efetivo No caso do SiC, a vida \u00fatil do fio de diamante pode ser t\u00e3o baixa quanto 200-400 wafers por carretel de fio devido \u00e0 extrema dureza do material (Mohs 9.5).<\/p>\n<p>A boa pr\u00e1tica \u00e9 geralmente traduzir o fio a cada 8-10 horas de corte ativo e controlar adequadamente a tens\u00e3o Alguns produtores empregar\u00e3o um sistema de gerenciamento de fio diamantado (DWMS) que monitora o desgaste total do fio em tempo real e fornece um aviso para operar antes que a probabilidade de tiro de fio seja alta.<\/p>\n<h3 style=\"margin: 32px 0 12px;\">As serras de fio m\u00faltiplo podem ser integradas em linhas de produ\u00e7\u00e3o existentes?<\/h3>\n<p>Sim. Quase todas as modernas m\u00e1quinas de serra multi fio facilitam os protocolos SECS\/GEM padr\u00e3o da ind\u00fastria para um sistema MES bem integrado. As serras multi fios DONGHE configuram E\/S para valores de receita autooperados para registro de dados.<\/p>\n<p><!-- CTA Section --><\/p>\n<div style=\"background: #f5f5f5; padding: 32px; margin: 48px 0 32px; text-align: center;\">\n<p style=\"margin: 0 0 8px; font-weight: bold;\">Precisa de uma serra multifio para a produ\u00e7\u00e3o do seu wafer?<\/p>\n<p style=\"margin: 0 0 20px; color: #6b7280;\">Os engenheiros da DONGHE trabalhar\u00e3o com voc\u00ea para configurar sua m\u00e1quina para o material que voc\u00ea deseja processar, o tamanho do wafer necess\u00e1rio e o volume da opera\u00e7\u00e3o Certificada ISO 9001:2015.35 patentes Mais de 300 clientes globais.<\/p>\n<p><a style=\"display: inline-block; background: #2d2d2d; color: #fff; padding: 14px 32px; text-decoration: none; font-weight: bold;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">Explore as serras multifios DONGHE \u2192<\/a><\/p>\n<\/div>\n<p><!-- Related Articles --><\/p>\n<div style=\"margin: 40px 0 32px;\">\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Artigos Relacionados<\/h2>\n<ul>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/product-category\/multi-wire-saw\/\" target=\"_blank\">Cat\u00e1logo de produtos de serra multifio DONGHE<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/diamond-wire-saw-for-semiconductor\/\" target=\"_blank\">Serra de fio de diamante para aplica\u00e7\u00f5es de semicondutores<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/sic-wafer-cutting\/\" target=\"_blank\">Corte de Wafer SiC: Desafios e Solu\u00e7\u00f5es<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/wire-saw-vs-blade-saw\/\" target=\"_blank\">Serra de arame vs. Serra de l\u00e2mina: qual \u00e9 o certo para sua aplica\u00e7\u00e3o?<\/a><\/li>\n<li><a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/wiresawcutter.com\/pt\/sapphire-cutting-guide\/\" target=\"_blank\">Guia de corte de safira para fabrica\u00e7\u00e3o de substrato LED<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n<p><!-- References & Sources --><\/p>\n<div style=\"margin: 40px 0 32px;\">\n<h2 style=\"margin: 48px 0 16px; padding-bottom: 10px; border-bottom: 2px solid #2d2d2d;\">Refer\u00eancias e fontes<\/h2>\n<ol>\n<li>Zhou, S. et al. (2023). \u201cProgresso recente na serragem com fio diamantado de wafer de sil\u00edcio.\u201d Materiais, MDPI. <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/pmc.ncbi.nlm.nih.gov\/articles\/PMC10456952\/\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">PMC\/NIH<\/a><\/li>\n<li>Wu, C. et al. (2023). \u201cEfeito do desgaste da serra de arame na qualidade da superf\u00edcie da bolacha.\u201d Materiais, MDPI. <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/pmc.ncbi.nlm.nih.gov\/articles\/PMC10223077\/\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">PMC\/NIH<\/a><\/li>\n<li>Padr\u00f5es SEMI. \u201cSEMI M1- Especifica\u00e7\u00e3o para wafers de sil\u00edcio de cristal \u00fanico polido.\u201d <a href=\"https:\/\/store-us.semi.org\/products\/m00100-semi-m1-specification-for-polished-single-crystal-silicon-wafers\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">SEMI Loja<\/a><\/li>\n<li>Kumar, A. &amp; Melkote, SN (2018). \u201cSerragem de fios de diamante de bolachas solares de sil\u00edcio: uma alternativa de fabrica\u00e7\u00e3o sustent\u00e1vel.\u201d Procedia Manufacturing. <a href=\"https:\/\/www.sciencedirect.com\/science\/article\/pii\/S2351978918301963\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">ScienceDirect<\/a><\/li>\n<li>Wang, Y. et al. (2025). \u201cDanos subsuperficiais em bolachas serradas com fio de diamante.\u201d Journal of Materials Science: Materials in Electronics. <a style=\"text-decoration: underline; text-underline-offset: 3px;\" href=\"https:\/\/link.springer.com\/article\/10.1007\/s10854-025-16034-w\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">Springer<\/a><\/li>\n<li>Schwartz, RJ et al. \u201cLaser Wafering para c\u00e9lulas solares de sil\u00edcio.\u201d Departamento de Energia dos EUA, OSTI. <a href=\"https:\/\/www.osti.gov\/biblio\/1011705\" target=\"_blank\" rel=\"nofollow noopener\">DOE\/OSTI<\/a><\/li>\n<\/ol>\n<\/div>\n<p><!-- Transparency Statement --><\/p>\n<div style=\"margin: 40px 0 0; padding: 16px 24px; border: 1px solid #e0e0e0; color: #6b7280;\">\n<p style=\"margin: 0;\">Pontos a serem observados: Este artigo foi de autoria do grupo de conte\u00fado t\u00e9cnico da DONGHE utilizando pesquisas acad\u00eamicas publicadas, diretrizes da ind\u00fastria SEMI e experi\u00eancia em plantas de mais de 10.000 eventos de serragem de arame As fontes de pontos de dados s\u00e3o todas publica\u00e7\u00f5es revisadas por pares e relat\u00f3rios de neg\u00f3cios citados acima A DONGHE fabrica\/vende o equipamento de serra de fio m\u00faltiplo mencionado aqui.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<style>\r\n.lwrp.link-whisper-related-posts{\r\n            \r\n            margin-top: 40px;\nmargin-bottom: 30px;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-title{\r\n            \r\n            \r\n        }.lwrp .lwrp-description{\r\n            \r\n            \r\n\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-container{\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-multi-container{\r\n            display: flex;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-double{\r\n            width: 48%;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-triple{\r\n            width: 32%;\r\n        }\r\n        .lwrp .lwrp-list-row-container{\r\n            display: flex;\r\n            justify-content: space-between;\r\n        }\r\n        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