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| Parámetro | Rango típico | Impacto en el proceso |
|---|---|---|
| Diámetro del alambre | 0,1 -0,3 mm | Vida útil más corta del cable = menor pérdida de corte, mientras que diámetro más largo = vida útil más alta del cable |
| Tamaño de grano de diamante | 10 «30 μ m | Corte más lento = grano más fino, acabado superficial más alto |
| Concentración de diamantes | 15-25% | Una mayor concentración da como resultado un corte más rápido y un mayor costo |
| Tipo de enlace | Galvanoplastia/resina | Galvanoplastia para corte agresivo, resina para acabado fino |
| Parámetro | Rango recomendado | Impacto primario | Compensación |
|---|---|---|---|
| Velocidad del cable | 10-25 m/s | Tasa de corte, calidad de la superficie | Mayor velocidad → más calor |
| Tasa de alimentación | 0,1-0,5 mm/min | Tiempo de ciclo, profundidad SSD | Alimentación más rápida → más daños |
| Tensión del cable | 20-60 N | Cortar rectitud, TTV | Mayor tensión → desgaste de cables |
| Flujo de refrigerante | 6-10 L/min | Control de temperatura | Más flujo → mayor costo |
| Temperatura del refrigerante | 18-22°C | Estabilidad térmica | Requiere sistema de refrigeración |
Optimice sus parámetros de corte de alambre de diamante para obtener la mejor calidad y calcule el desglose detallado del costo por oblea para la producción de obleas de carburo de silicio
Estudios de casos del mundo real que demuestran precisión, rendimiento y rentabilidad.
El proveedor alemán de automóviles Tier-1 es uno de los mayores fabricantes de módulos de potencia basados en SiC para inversores de vehículos eléctricos. Esta empresa, que produce anualmente más de 500.000 módulos MOSFET de SiC, se encuentra bajo estrés financiero debido al desperdicio excesivo de materia prima de sus operaciones de corte de obleas. Esta empresa gestiona 3 líneas de producción para el procesamiento de obleas 4H-SiC de 6 pulgadas para dispositivos de alimentación de 1200V y 1700V.
Antes de que comenzara este proyecto, el sistema de sierra de lodo multicable del cliente generaba pérdidas inaceptables:
Después de analizar las demandas de corte del cliente, instalamos un Máquina cortadora de sierra de alambre de diamante DWS-6000 con funciones personalizadas.
| Métrica | Antes | Después |
|---|---|---|
| Pérdida de Kerf | 220μm | 143μm (↓35%) |
| Obleas por lingote (25 mm) | 38 obleas | 52 obleas (↑37%) |
| Utilización de materiales | 52% | 71% (↑19 pts) |
| Daños subterráneos | 45-60μm | 15-25μm (↓58%) |
| Tasa de desconchado de bordes | 8% | 1.2% (↓85%) |
El cliente es uno de los 3 principales fabricantes de inversores solares en China, con una capacidad de producción anual de más de 50 GW. Para reforzar su integración vertical, establecieron una planta cautiva de fabricación de obleas de SiC. Se trata de una estrategia centrada en la seguridad de la cadena de suministro de los MOSFET de SiC utilizados en inversores de cadena de alta eficiencia. La planta trabaja en obleas 4H-SiC de 8 pulgadas destinadas a dispositivos de 650V y 1200V destinados a sistemas solares a escala de servicios públicos.
Las dificultades que enfrentó el cliente incluyeron el establecimiento de una operación de corte de obleas de SiC totalmente nueva con los siguientes requisitos:
Nuestra recomendación es la Sistema de corte de bucle de alambre de diamante sin fin EDW-8200. Coincide con las especificaciones del usuario para el corte de precisión de obleas de SiC.
| Métrica | Resultado logrado | Objetivo/contexto |
|---|---|---|
| Pérdida de Kerf | 0,35-0,40 mm | frente al objetivo de 0,45 mm |
| Espesor mínimo de la oblea | 300μm conseguidos | Supera el objetivo de 350 µm |
| Rugosidad superficial (Ra) | 0,22μm | Supera el objetivo de 0,3μm |
| TTV | < 5μm | A través de 200 mm de diámetro |
| Tasa de rendimiento (primer paso) | 96.8% | - |
Fundición japonesa de semiconductores en dispositivos de RF GaN-on-SiC para estaciones base 5G. Su línea de productos comprende HPA, LNA y MMIC integrados para bandas sub-6GHz y mmWave. El rendimiento de los dispositivos de RF es fundamental y, por lo tanto, exigen sustratos de SiC de alta calidad con defectos cristalográficos mínimos.
La principal preocupación del cliente incluía el daño subterráneo que afectó la calidad del crecimiento epitaxial de GaN:
Para ello utilizamos el Sierra de alambre de diamante de precisión DWS-4100P totalmente configurado con funciones especializadas para reducción de SSD.
| Métrica | Antes | Después |
|---|---|---|
| Profundidad de daño subterráneo | 40-55μm | 8-12μm (↓78%) |
| Arco de oblea (4 pulgadas) | >30μm | <8μm (↓73%) |
| Precisión de la orientación cristalina | ±0,15° | ±0,05° (↑ 3x precisión) |
| Tasa de falla del dispositivo RF | 4.2% | 1.1% (↓74%) |
| Densidad del defecto GaN Epi | 5×105 cm-² | 8×104 cm-² (↓84%) |