與東河公司聯繫
| 參數 | 典型範圍 | 對流程的影響 |
|---|---|---|
| 線徑 | 0.1 × 0.3 毫米 | 較短的線壽命 = 較小的切口損失,而較長的直徑 = 較高的線壽命 |
| 鑽石砂粒尺寸 | 10×30μm | 切割速度較慢 = 砂粒較細,表面光潔度較高 |
| 鑽石濃度 | 15-25% | 較高的濃度會導致更快的切割和增加的成本 |
| 債券類型 | 電鍍/樹脂 | 電鍍可實現激進切割,樹脂可實現精細表面處理 |
| 參數 | 推薦範圍 | 主要影響 | 權衡 |
|---|---|---|---|
| 線速度 | 10-25米/秒 | 切割率、表面品質 | 速度越高→熱量越多 |
| 飼料率 | 0.1-0.5 毫米/分鐘 | 循環時間、SSD 深度 | 進給速度更快→傷害更大 |
| 線張力 | 20-60 N | 切直,TTV | 高張力→線磨損 |
| 冷卻液流 | 6-10 公升/分鐘 | 溫度控制 | 流量越多→成本越高 |
| 冷卻液溫度 | 18-22°C | 熱穩定性 | 需要冷卻系統 |
優化鑽石線切割參數以獲得最佳質量,並計算碳化矽晶圓生產的每個晶圓的詳細成本細分
現實世界的案例研究證明了精度、產量和成本效益。.
這家德國汽車一級供應商是最大的電動車逆變器 SiC 電源模組製造商之一。該公司每年生產超過 50 萬個 SiC MOSFET 模組,但由於晶圓切片作業造成過多的原料浪費,因此面臨財務壓力。該公司擁有 3 條生產線,用於 1200V 和 1700V 電力設備的 6 吋 4H-SiC 晶圓加工。.
在該專案開始之前,客戶的多線漿鋸系統造成了不可接受的損失:
在分析了客戶的切割需求後,我們安裝了一個 DWS-6000 鑽石鋼絲鋸切割機 具有自訂功能。.
| 公制 | 之前 | 之後 |
|---|---|---|
| 曲夫損失 | 220微米 | 143微米 (↓35%) |
| 每個錠的晶圓(25 毫米) | 38 個威化餅 | 52 個威化餅 (↑37%) |
| 材料利用 | 52% | 71% (↑19 分) |
| 地下損壞 | 45-60微米 | 15-25微米 (↓58%) |
| 邊緣碎裂率 | 8% | 1.2% (↓85%) |
客戶是中國三大太陽能逆變器製造商之一,年產能超過50GW。為了加強垂直整合,他們建立了自備SiC晶圓製造廠。這是一項專注於高效串式逆變器中使用的 SiC MOSFET 供應鏈安全的策略。該工廠生產 8 吋 4H-SiC 晶圓,適用於公用事業規模太陽能係統的 650V 和 1200V 設備。.
客戶面臨的困難包括建立綠地碳化矽晶圓切割作業,並滿足以下要求:
我們的建議是 EDW-8200 無盡鑽石線環切割系統. 符合使用者精密切割SiC晶圓的規格。.
| 公制 | 取得了成果 | 目標/背景 |
|---|---|---|
| 曲夫損失 | 0.35-0.40毫米 | 與 0.45 毫米目標相比 |
| 最小晶圓厚度 | 達到 300μm | 超過 350μm 目標 |
| 表面粗糙度 (Ra) | 0.22μm | 超過 0.3μm 目標 |
| 台視 | < 5μm | 直徑超過200毫米 |
| 收益率(首次通過) | 96.8% | - |
日本半導體代工廠,生產用於 5G 基地台的 GaN-on-SiC RF 裝置。他們的產品線包括 HPA、LNA 以及適用於 6GHz 以下和 mmWave 頻段的整合 MMIC。射頻設備的性能至關重要,因此需要具有最小晶體缺陷的高品質 SiC 基板。.
客戶最關心的問題包括影響 GaN 外延生長品質的地下損壞:
為此我們使用了 DWS-4100P 精密鑽石鋼絲鋸 完全配置了用於減少 SSD 的專用功能。.
| 公制 | 之前 | 之後 |
|---|---|---|
| 地下損害深度 | 40-55微米 | 8-12微米 (↓78%) |
| 晶圓弓(4 英吋) | >30μm | <8μm (↓73%) |
| 晶體取向精度 | ±0.15° | ±0.05° (↑3x 精度) |
| 射頻設備故障率 | 4.2% | 1.1% (↓74%) |
| GaN 表層缺陷密度 | 5×105 公分-² | 8×104 公分-² (↓84%) |
