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High Tech & Präzisionsdrahtsäge
Die hochmodernen Diamantdrahtsägeverfahren für Halbleiter-, Photovoltaik- und präzise Materialverarbeitungssektoren. Unsere erstklassige Schneidtechnologie ermöglicht es, Genauigkeit im Submikrometerbereich zu erreichen.
Hightech Präzisionsschneidlösungen
Spezialisierte Diamantdrahtsägesysteme, die für die anspruchsvollsten Halbleiter- und Photovoltaikanwendungen entwickelt wurden
Siliziumwafer Schneiddraht Säge
Hochpräzises Mehrdrahtsägesystem für Silizium-Wafer-Schneiden Erreicht ultradünne Wafer mit außergewöhnlicher TTV-Steuerung für die Halbleiter - und Elektronikfertigung.
Diamantdrahtsäge für Photovoltaik
Optimiert für die Solarzellenproduktion mit hohem Durchsatz und geringem Schnittfehlbetrag Reduziert Siliziumabfälle bei gleichbleibender Waferqualität für die PV-Herstellung.
Solarpanel-Schneidemaschine
Präzisionsschneidanlage für Solarpanel - und Zellbearbeitung Verfügt über automatisiertes Handling und optimierte Schneidparameter für die Photovoltaik-Modulproduktion.
SiC Wafer Schneidsäge
Spezialisierte Drahtsäge für die Siliziumkarbid-Waferverarbeitung Bewältigt die extreme Härte von SiC mit optimiertem Diamantdraht und Schneidparametern für EV und Leistungselektronik.
Saphirschneidedraht-Säge
Präzisionsschneidlösung für Saphirsubstrate, die in LED - und optischen Anwendungen verwendet werden Erreicht eine glatte Oberflächenbeschaffenheit und minimale Schäden unter der Oberfläche an hartem Saphirmaterial.
Tropfenschneiddraht-Säge
Effizientes Drahtsägesystem für den Zuschnitt von Silizium- und Verbindungshalbleiterbarren Entfernt Start- und Endenden mit Präzisionsquadratfähigkeit für die nachgelagerte Verarbeitung.
Was unsere Hightech ausmacht Drahtsägen Superior
High-Tech-Engineering zusammen mit präziser Fertigung führt zu außergewöhnlicher Schneidleistung
Superhohe Präzision
TTV-Genauigkeit im Submikrometerbereich, bereitgestellt durch fortschrittliche Bewegungssteuerungs- und Echtzeitkompensationssysteme
Sehr geringer Materialverlust
Ultradünner Diamantdraht (0,04-0,12 mm) minimiert Schnittstellenverlust und maximiert die Ausbeute pro Barren
Sehr hoher Durchsatz
Mehrdrahtkonfigurationen ermöglichen die gleichzeitige Verarbeitung mehrerer Wafer und sorgen so für maximale Produktivität
Intelligente Automatisierung
Bereit für Industrie 4.0 mit automatisiertem Drahtmanagement, Beladung und Prozessüberwachung
Leistung Spezifikationen
Detaillierte technische Spezifikationen für unser High-Tech-Präzisionssägeprogramm
| Spezifikation | Siliziumwafer | SiC-Wafer | Saphir | Ingot Cropping |
|---|---|---|---|---|
| Werkstückgröße | 2-12 Zoll Waffeln | 2-8 Zoll Waffeln | 2-6 Zoll Substrate | Bis zu 20 mm Barren |
| Drahtdurchmesser | 0.04-0.12mm | 0.06-0.15mm | 0.08-0.18mm | 0.15-0.35mm |
| TTV-Präzision | 153) | 10000000 | 188 DAME | 150000) |
| Oberflächenrauheit | Ra0.3um | Ra0.5um | Ra0.4um | Ra1.0um |
| Drahtgeschwindigkeit | Bis zu 3000m/min | Bis zu 1500m/min | Bis 1800m/min | Bis 2000m/min |
| Kerf-breite | 60-150um | 80-180um | 100-200um | 180-400um |
| Automatisierungsebene | Vollständige Auto | Halb-/Vollautomatik | Halbauto | Vollständige Auto |
Ziel Anwendungen
Unsere High-Tech-Präzisionssägen für Drahtsägen dienen kritischen Fertigungsprozessen in fortgeschrittenen Branchen
Halbleiterfertigung
Siliziumwaferproduktion für IC-Chips, Speichergeräte und integrierte Schaltkreise, die weltweit Elektronik betreiben.
Solar / Photovoltaik
Silizium-Barrenschneiden und Solarzellenschneiden für die Erzeugung erneuerbarer Energien und die Herstellung von Photovoltaikmodulen.
Leistungselektronik (SiC)
Siliziumkarbid-Waferverarbeitung für Elektroinverter, Netzteile und hocheffiziente Stromumwandlungssysteme.
LED & Beleuchtung
Saphir-Substratschneiden für LED-Chips, das die Grundlage für energieeffiziente Beleuchtungslösungen bildet.
Optik & Photonik
Präzisionsschneiden optischer Materialien für Linsen, Fenster und fortschrittliche photonische Komponenten.
Forschung & Entwicklung
Laborprobenvorbereitung für Universitäten und Forschungseinrichtungen zur Förderung der Materialwissenschaften.




