Neem contact op met DONGHE Company
-
Telefoon: +86 181-1645-5490
-
E-mail: Sales18@DongheScience.com
GaN Wafersnijden: apparatuur, parameters en beste praktijken voor galliumnitride

gan wafersnijden slaagt wanneer de bewerking, de volledige substraatstapel, de machinearchitectuur en de acceptatietest samen worden gedefinieerd. Eén instelling die een vrijstaand GaN-substraat scheidt, kan een verwerkte GaN-op-siliciumwafel beschadigen, terwijl een schoon ogende in blokjes gesneden rand nog steeds kan falen...
Siliciumcarbide keramiek: eigenschappen, productie en industriële toepassingen
Bijgewerkt: augustus 2026 Siliciumcarbidekeramiek is een familie van structurele, niet-oxidekeramiek in plaats van één verwisselbare kwaliteit. Drukloos gesinterde, reactiegebonden, nitridegebonden, herkristalliseerde en warmgeperste lichamen kunnen verschillen in porositeit, restfasen, vormvermogen, corrosierespons en afwerkingsvereisten. Een geluid...
Diamantdraadsnijtechnologie: evolutie van drijfmest naar diamantgebonden draden (1990-2026)

Bijgewerkte diamantdraadsnijtechnologie van augustus 2026 is een vast schurend proces waarbij bewegende draad gebonden diamant draagt; dit artikel vergelijkt het met eerder losschurend draadzagen, en de technologie begon niet in 1990. Kortom: in de periode 1990-2026...
Polysiliciummateriaal: eigenschappen, kwaliteiten en toepassingen in de zonne- en halfgeleiderindustrie
Polysiliciummateriaal is zeer zuivere siliciumgrondstof voor de productie van kristallijne zonne- en halfgeleiderwafels. Bijgewerkt in augustus 2026. Kortom: Polysiliciummateriaal is zeer zuiver silicium dat voornamelijk wordt gebruikt als grondstof voor kristallijne zonnewafels en halfgeleiderwafels. Een goede aankoop wordt niet besloten...


